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        [常見問題解答]場效應MOS管電源開關電路的缺點介紹[
                                        2023-11-24 18:13
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                                    場效應管MOS管電源開關電路的缺點介紹MOS管因為其導通內阻低，開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計就很關鍵。一般的電源開關電路，控制電源的目的是省電，控制靜態電流。不過以下的電路存在著幾個缺點：1.管壓降較大我們知道采用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會導致由此供電的芯片損壞。PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實際的值在
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cxymosgdyk_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]BSS84場效應管參數,BSS84參數中文資料,BSS84替代[
                                        2022-05-17 10:56
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                                    BSS84場效應管參數,BSS84參數中文資料,BSS84替代 
場效應管BSS84參數,絲印PD,BSS84封裝引腳圖,BSS84中文資料PDF,MOS管廠家 
產品名稱：場效應MOS管    產品型號：BSS84   極性：P溝道 
漏源電壓：-50V    連續漏極電流：-130mA    封裝：SOT-23等...
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/bss84cxygc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]AO3415場效應管參數,AO3415參數中文資料,AO3415替代[
                                        2022-05-17 10:25
                                        ]
        
                                
        
                                    AO3415場效應管參數,AO3415參數中文資料,AO3415替代 
場效應管AO3415參數,絲印AFCP,AO3415封裝引腳圖,AO3415中文資料PDF,MOS管廠家 
產品名稱：場效應MOS管    產品型號：AO3415   極性：P溝道 
漏源電壓：-20V    連續漏極電流：-5A    封裝：SOT-23等...
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ao3415cxygcs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]AO3414場效應管參數,AO3414中文資料規格書,AO3414替代[
                                        2022-05-11 17:44
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                                    AO3414場效應管參數,AO3414中文資料規格書,AO3414替代 
場效應管AO3414參數,絲印AE9T,AO3414封裝引腳圖,AO3414中文資料PDF,MOS管廠家 
產品名稱：場效應MOS管    產品型號：AO3414   極性：N溝道 
漏源電壓：20V    連續漏極電流：4.2A    封裝：SOT-23等...
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ao3414cxyg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]AO3413場效應管參數,AO3413中文資料規格書,AO3413替代[
                                        2022-05-11 17:02
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                                    AO3413場效應管參數,AO3413中文資料規格書,AO3413替代 
場效應管AO3413參數,絲印ADEA,AO3413封裝引腳圖,AO3413中文資料PDF,MOS管廠家 
產品名稱：場效應MOS管    產品型號：AO3413   極性：P溝道 
漏源電壓：-20V    連續漏極電流：-3A    封裝：SOT-23等...
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ao3413cxyg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]AO3410場效應管參數,AO3410中文資料規格書,AO3410替代[
                                        2022-05-05 18:17
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                                    AO3410場效應管參數,AO3410中文資料規格書,AO3410替代 
場效應管AO3410參數,絲印A01TT,AO3410封裝引腳圖,AO3410中文資料PDF,MOS管廠家 
產品名稱：場效應MOS管    產品型號：AO3410   極性：N溝道 
漏源電壓：30V    連續漏極電流：5.8A    封裝：SOT-23等...
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ao3410cxyg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]AO3409場效應管參數 AO3409中文資料規格書 AO3409替代[
                                        2022-05-05 16:03
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                                    AO3409場效應管參數,AO3409中文資料規格書,AO3409替代 
場效應管AO3409參數,絲印A99T,AO3409封裝引腳圖,AO3409中文資料PDF,MOS管廠家 
產品名稱：場效應MOS管    產品型號：AO3409    極性：P溝道 
漏源電壓：-30V    連續漏極電流：-2.6A    封裝：SOT-23等...
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ao3409cxyg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-28 16:16
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                                    STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文參數,STD3NK50Z封裝引腳圖,STD3NK50Z數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)STD3NK50Z場效應管封裝TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 極高的dv/dt能力· ESD改進能力）· 100%雪崩測試· 新的高壓基準· 柵極電荷最小化絕對最大額定值（TC=25°C，除非
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/std3nk50zc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-28 16:05
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                                    TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文參數,TK3P50D封裝引腳圖,TK3P50D數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)TK3P50D場效應管封裝TO-252特征開關穩壓器(1) 低漏源導通電阻：RDS(ON)=2.3Ω（典型值）(2) 高前向轉移導納：|Yfs|=1.0S（典型值）(3) 低漏電流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=500 V）(4) 增強模式：Vth=2.4至4.4V（VDS=10V，ID=1mA）絕對最大額定值（TC=25&de
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/tk3p50dcsz_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]IRFR420A參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-25 14:34
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                                    ? 低柵極電荷Qg導致簡單驅動要求
? 改進的門限、雪崩和動態dV/dt堅固性
? 充分表征電容和雪崩電壓和電流
? 指定有效成本
? 材料分類：用于合規性定義
應用：開關電源(SMPS)，不間斷電源供應，高速電源切換
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/irfr420acs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]SVF3N50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-25 14:09
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                                    SVF3N50D/MJ,N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及原胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高 的雪崩擊穿耐量。 該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/svf3n50dcs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]FIR5N50LG,TO-252,中文參數,引腳圖,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-25 13:52
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                                    FIR5N50BPG,LG硅N溝道增強型VDMOSFET，采用自對準平面技術獲得，可降低傳導損耗，提高開關性能并增強雪崩能量。 該晶體管可用于系統的各種電源開關電路小型化和更高的效率。 封裝形式為符合RoHS標準的TO-251。
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/fir5n50lgt_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]HFD5N40,TO-252,中文參數,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-24 15:32
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                                    · 原創新設計
· 卓越的雪崩堅固技術
· 強大的柵極氧化技術
· 極低的固有電容
· 優良的開關特性
· 無與倫比的柵極電荷：13 nC（典型值）
· 擴展安全操作區
· 降低 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V
· 100% 雪崩測試
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/hfd5n40to2_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]AP02N40H-HF參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-24 15:21
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                                    AP02N40系列來自創新設計和硅工藝技術，以實現盡可能低的導通電阻和快速開關性能。 它為設計師提供具有極其高效的設備，可用于各種功率應用程序。TO-252封裝廣泛適用于商業工業表面貼裝應用，適用于低電壓應用如DC/DC轉換器。
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ap02n40hhf_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]IRFR320參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-24 14:51
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                                    第三代功率MOSFET提供了設計師與快速切換的最佳組合，堅固耐用的設備設計，低導通電阻和成本效益。DPAK設計用于使用蒸汽進行表面安裝相位、紅外或波峰焊接技術。 直的引線版本（IRFU、SiHFU系列）用于通孔安裝應用。 功耗水平高達1.5W在典型的表面貼裝應用中是可能的。
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/irfr320csz_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]6N60場效應MOS管_6N60參數代換_規格書中文資料[
                                        2021-10-07 16:10
                                        ]
        
                                
        
                                    6N60場效應MOS管_6N60參數代換_規格書中文資料6N60 - 2.0A,700V N溝道超結場效應管6N60(MOS)場效應管參數,6N60場效應管引腳圖,6N60場效應管中文資料6N60規格書(PDF):查看下載2NM70的概述：6N60是一款高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于開關電源和適配器中的高速開關應用。2NM70的特性：* RDS(ON)<1.5Ω @ VGS=10V* 超低柵極電荷（典
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/6n60cxymos_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]nmos和pmos的認識與區別解析 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-09-29 18:47
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                                    nmos管和pmos管的認識與區別解析 - 場效應管 - 壹芯微雖然NMOS可以滿足很多場景的使用，但是有一些特殊場景就需要用到PMOS了。什么是nmos？NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/nmosghpmos_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]CJU01N80 TO252 N溝道 高壓800V 1A - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-09-29 17:32
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                                    CJU01N80 TO252 N溝道 高壓800V 1A - 場效應MOS管 - 壹芯微型號：CJU01N80 極性：N溝道；電壓：800V 電流：1A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷CJU01N80參數中文資料,CJU01N80封裝管腳引腳圖,CJU01N80規格書:查看下載CJU01N80的概述：CJU01N80是N溝道模式功率MOSFET，使用為客戶提供平面條紋的先進技術。 該技術專注于實現最小的通態電阻和卓越的開關性能。 它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。 CJ
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cju01n80to_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]1N65AL-TN3-R TO252 N溝道 高壓650V 1A - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-09-28 14:45
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                                    1N65AL-TN3-R TO252 N溝道 高壓650V 1A - 場效應MOS管 - 壹芯微型號：1N65AL-TN3-R 極性：N溝道；電壓：400V 電流：6A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷1N65AL-TN3-R參數中文資料,1N65AL-TN3-R封裝管腳引腳圖,1N65AL-TN3-R規格書:查看下載1N65AL-TN3-R的概述：壹芯1N65A是一款高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率 MOSFE
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/1n65altn3r_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]1N65AG-TN3-R TO252 N溝道 高壓650V 1A - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-09-26 11:01
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                                    1N65AG-TN3-R TO252 N溝道 高壓650V 1A - 場效應MOS管 - 壹芯微型號：1N65AG-TN3-R 極性：N溝道；電壓：650V 電流：1A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷1N65AG-TN3-R參數中文資料,1N65AG-TN3-R封裝管腳引腳圖,1N65AG-TN3-R規格書:查看下載1N65AG-TN3-R的概述：壹芯1N65A是一款高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率 MOSFE
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/1n65agtn3r_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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                深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號：粵ICP備2020121154號
            
        
    
        

        



  
              
     
           


           

    
    




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