6N60場效應MOS管_6N60參數代換_規格書中文資料

6N60 - 2.0A,700V N溝道超結場效應管

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6N60規格書(PDF):查看下載

2NM70的概述：

6N60是一款高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于開關電源和適配器中的高速開關應用。

2NM70的特性：

* RDS(ON)<1.5Ω @ VGS=10V

* 超低柵極電荷（典型值20nC）

* 低反向傳輸電容（CRSS=典型值10pF）

* 快速切換能力

* 雪崩能量測試

* 改進的dv/dt能力，高耐用性

6N60的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓，VDSS：600V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：6.2A

ContinuousDrainCurrent持續漏極電流,ID：6.2A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流(注2),IDM：24.8A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),EAS：440mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(注2),EAR：13mJ

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-263,PD：125W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,PD：40W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,PD：42W

PowerDissipation功耗,TO-251S,PD：55W

JunctionTemperature結溫,TJ：+150°C

OperatingTemperature工作溫度，TOPR：-55~+150°C

StorageTemperature儲存溫度,TSTG：-55~+150°C

注意： 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2. 重復評級：脈沖寬度受TJ限制

3. L=25mH，IAS=6A，VDD=90V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4. ISD≤6.2A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微6N60規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

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