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來源:壹芯微 發(fā)布日期
2021-09-28 瀏覽:-1N65AL-TN3-R TO252 N溝道 高壓650V 1A - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

型號:1N65AL-TN3-R 極性:N溝道;電壓:650V 電流:1A;封裝:TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷
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1N65AL-TN3-R的概述:
壹芯1N65A是一款高壓功率MOSFET,旨在具有更好的特性,例如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率 MOSFET 通常用于電源、PWM 電機(jī)控制、高效 DC 到 DC 轉(zhuǎn)換器和橋式電路的高速開關(guān)應(yīng)用。
1N65AL-TN3-R的特性:
RDS(ON)<15.5Ω@VGS=10V,ID=0.5A
超低柵極電荷(典型值 8.0nC)
低反向傳輸電容(CRSS=3.0pF(最大值))
快速切換能力
指定雪崩能量
改進(jìn)的dv/dt能力,高耐用性

1N65AG-TN3-R的絕對最大額定值(TC = 25°C,除非另有說明):
Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS:650 V
Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS:±30 V
ContinuousDrainCurrent連續(xù)漏極電流,ID:0.5 A
PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流(注2),IDM:2 A
AvalancheEnergySinglePulse雪崩能量單脈沖(注3),EAS:50 mJ
PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(fù)(注4),dv/dt:4.5 V/ns
PowerDissipation功耗(TC=25°C),SOT-223,PD:8.9 W
PowerDissipation功耗(TC=25°C),TO-251/TO-252,PD:27.6 W
PowerDissipation功耗(TC=25°C),TO-92,PD:1.42 W
DerateAbove25°C25°C以上降額,SOT-223,PD:0.07 mW/°C
DerateAbove25°C25°C以上降額,TO-251/TO-252,PD:0.22 mW/°C
DerateAbove25°C25°C以上降額,TO-92,PD:0.22 mW/°C
JunctionTemperature結(jié)溫,TJ:+150 °C
OperatingTemperature工作溫度,TOPR:-55~+150°C
StorageTemperature儲存溫度,TSTG:-55~+150°C
注意: 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設(shè)備的那些值。絕對最大額定值僅是應(yīng)力額定值,并不暗示功能設(shè)備操作。
2. 重復(fù)評級:脈沖寬度受最大結(jié)溫限制
3. L=92mH, IAS=0.8A, VDD=50V, RG=0Ω, 起始TJ=25°C
4. ISD≤1.0A,di/dt≤100A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C

壹芯微1N65AG-TN3-R規(guī)格書下還有熱特性,靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等,建議自行閱讀觀看。
壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用,幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質(zhì)量的國內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費試樣外,更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們,免費試樣熱線:13534146615(微信同號) QQ:2881579535 或請咨詢官網(wǎng)在線客服。

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