1N65AL-TN3-R TO252 N溝道 高壓650V 1A - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

型號：1N65AL-TN3-R 極性：N溝道；電壓：650V 電流：1A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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1N65AL-TN3-R的概述：

壹芯1N65A是一款高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率 MOSFET 通常用于電源、PWM 電機(jī)控制、高效 DC 到 DC 轉(zhuǎn)換器和橋式電路的高速開關(guān)應(yīng)用。

1N65AL-TN3-R的特性：

RDS(ON)<15.5Ω@VGS=10V,ID=0.5A

超低柵極電荷(典型值 8.0nC)

低反向傳輸電容(CRSS=3.0pF(最大值))

快速切換能力

指定雪崩能量

改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性

1N65AG-TN3-R的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：650 V

Gate-SourceVoltage柵源電壓，VGSS：±30 V

ContinuousDrainCurrent連續(xù)漏極電流,ID：0.5 A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流(注2),IDM：2 A

AvalancheEnergySinglePulse雪崩能量單脈沖(注3),EAS：50 mJ

PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(fù)(注4),dv/dt：4.5 V/ns

PowerDissipation功耗(TC=25°C),SOT-223,PD：8.9 W

PowerDissipation功耗(TC=25°C),TO-251/TO-252,PD：27.6 W

PowerDissipation功耗(TC=25°C),TO-92,PD：1.42 W

DerateAbove25°C25°C以上降額,SOT-223,PD：0.07 mW/°C

DerateAbove25°C25°C以上降額,TO-251/TO-252,PD：0.22 mW/°C

DerateAbove25°C25°C以上降額,TO-92,PD：0.22 mW/°C

JunctionTemperature結(jié)溫,TJ：+150 °C

OperatingTemperature工作溫度,TOPR：-55~+150°C

StorageTemperature儲存溫度,TSTG：-55~+150°C

注意： 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設(shè)備的那些值。絕對最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2. 重復(fù)評級：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制

3. L=92mH, IAS=0.8A, VDD=50V, RG=0Ω, 起始TJ=25°C

4. ISD≤1.0A，di/dt≤100A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微1N65AG-TN3-R規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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