AP02N40H-HF參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

AP02N40H-HF中文參數,AP02N40H-HF封裝引腳圖,AP02N40H-HF數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)

描述

AP02N40系列來自創新設計和硅工藝技術，以實現盡可能低的導通電阻和快速開關性能。 它為設計師提供具有極其高效的設備，可用于各種功率應用程序。TO-252封裝廣泛適用于商業工業表面貼裝應用，適用于低電壓應用如DC/DC轉換器。

AP02N40H-HF場效應管封裝:TO-252

絕對最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：400V

柵源電壓(VGSS)：±30V

雪崩電流(IAR)：1A

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：1.6A

漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1A

漏極電流-脈沖(IDM)：3A

單脈沖雪崩能量(EAS)：5mJ

功耗(TC=25°C)(PD)：33W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)：3.8°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)：62.5°C/W

〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。

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