HFD5N40,TO-252,中文參數(shù),規(guī)格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

HFD5N40中文參數(shù),HFD5N40封裝引腳圖,HFD5N40數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)

特性

· 原創(chuàng)新設計

· 卓越的雪崩堅固技術(shù)

· 強大的柵極氧化技術(shù)

· 極低的固有電容

· 優(yōu)良的開關(guān)特性

· 無與倫比的柵極電荷：13 nC（典型值）

· 擴展安全操作區(qū)

· 降低 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V

· 100% 雪崩測試

絕對最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：400V

柵源電壓(VGSS)：±30V

雪崩電流(IAR)：3.4A

漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：3.4A

漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：2.15A

漏極電流-脈沖(IDM)：13.6A

單脈沖雪崩能量(EAS)：510mJ

重復雪崩能量(EAR)：4.5mJ

二極管恢復峰值(dv/dt)：4.5V/ns

功耗(TC=25°C)(PD)：2.5W

功耗(TC=25°C以上)(PD)：0.36W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С

熱阻-結(jié)到外殼(RθJC)：2.78°C/W

熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA)*：50°C/W

熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA)：110°C/W

焊接的最高引線溫度(TL)：300°С

絕對最大額定值

電氣特性

TO-252封裝

TO-251封裝

〔壹芯微〕國內(nèi)功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數(shù)達標，質(zhì)量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術(shù)支持，專業(yè)售后，如需了解產(chǎn)品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服。

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