TK3P50D參數(shù),中文資料,規(guī)格書(shū) - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

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TK3P50D場(chǎng)效應(yīng)管封裝TO-252

特征

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

(1) 低漏源導(dǎo)通電阻：RDS(ON)=2.3Ω（典型值）

(2) 高前向轉(zhuǎn)移導(dǎo)納：|Yfs|=1.0S（典型值）

(3) 低漏電流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=500 V）

(4) 增強(qiáng)模式：Vth=2.4至4.4V（VDS=10V，ID=1mA）

絕對(duì)最大額定值（TC=25°C，除非另有說(shuō)明）

漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

雪崩電流(IAR)：3A

漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：3A

漏極電流-脈沖(IDM)：6A

單脈沖雪崩能量(EAS)：81mJ

重復(fù)雪崩能量(EAR)：6mJ

功耗(TC=25°C)(PD)：60W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150°С

熱阻-結(jié)到外殼(RθJC)：2.08°C/W

熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA)：125°C/W

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