STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

STD3NK50Z中文參數,STD3NK50Z封裝引腳圖,STD3NK50Z數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)

STD3NK50Z場效應管封裝TO-252,TO-251,TO-92,

特征

· 典型 RDS(on)=2.8Ω

· 極高的dv/dt能力

· ESD改進能力）

· 100%雪崩測試

· 新的高壓基準

· 柵極電荷最小化

絕對最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)

(TO-252/TO-251)：2.3A

(TO-92)：0.5A

漏極電流-脈沖(IDM)

(TO-252/TO-251)：9.2A

(TO-92)：2A

功耗(TC=25°C)(PD)

(TO-252/TO-251)：45W

(TO-92)：3W

二極管恢復峰值(dv/dt)：4.5V/ns

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)

(TO-252/TO-251)：2.77°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)

(TO-252)：50(#)

(TO-251)：100

(TO-92)：-

〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。

手機號/微信：13534146615

QQ：2881579535(點擊可咨詢)