IRFR320參數(shù) 中文資料 規(guī)格書 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

IRFR320中文參數(shù),IRFR320封裝引腳圖,IRFR320數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)

描述

第三代功率MOSFET提供了設(shè)計師與快速切換的最佳組合，堅固耐用的設(shè)備設(shè)計，低導(dǎo)通電阻和成本效益。DPAK設(shè)計用于使用蒸汽進(jìn)行表面安裝相位、紅外或波峰焊接技術(shù)。 直的引線版本（IRFU、SiHFU系列）用于通孔安裝應(yīng)用。 功耗水平高達(dá)1.5W在典型的表面貼裝應(yīng)用中是可能的。

IRFR320場效應(yīng)管封裝:TO-252,TO-251

絕對最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：400V

柵源電壓(VGSS)：±20V

雪崩電流(IAR)：3.1A

漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：3.1A

漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：2.0A

漏極電流-脈沖(IDM)：12A

單脈沖雪崩能量(EAS)：160mJ

重復(fù)雪崩能量(EAR)：4.2mJ

二極管恢復(fù)峰值(dv/dt)：4.0V/ns

功耗(TC=25°C)(PD)：42W

功耗(TC=100°C)(PD)：2.5W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С

熱阻-結(jié)到外殼(RθJC)：°C/W

熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA)：°C/W

焊接的最高引線溫度(TL)：260°С

封裝規(guī)格如下:

〔壹芯微〕國內(nèi)功率半導(dǎo)體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應(yīng)管)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數(shù)達(dá)標(biāo)，質(zhì)量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術(shù)支持，專業(yè)售后，如需了解產(chǎn)品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服。

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