SVF3N50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

SVF3N50D中文參數,SVF3N50D封裝引腳圖,SVF3N50D數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)

SVF3N50D場效應管封裝TO-252,TO-251

描述

SVF3N50D/MJ,N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及原胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高 的雪崩擊穿耐量。 該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。

特性
3A，500V，RDS(on)(典型值)=2.7?@VGS=10V

· 低柵極電荷量

· 低反向傳輸電容

· 開關速度快

· 提升了dv/dt能力

絕對最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：3.0A

漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1.9A

漏極電流-脈沖(IDM)：12.0A

單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ

功耗(TC=25°C)(PD)：34W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)：3.7°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)：62.0°C/W

熱阻特性

電氣參數

漏源二極管特性參數

封裝外形圖

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