IRFR420A參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

IRFR420A中文參數,IRFR420A封裝引腳圖,IRFR420A數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)

IRFR420A場效應管封裝TO-252,TO-251

特征

• 低柵極電荷Qg導致簡單驅動要求

• 改進的門限、雪崩和動態dV/dt堅固性

• 充分表征電容和雪崩電壓和電流

• 指定有效成本

• 材料分類：用于合規性定義

應用

• 開關電源(SMPS)

• 不間斷電源供應

• 高速電源切換

絕對最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

雪崩電流(IAR)：2.5A

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：3.3A

漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：2.1A

漏極電流-脈沖(IDM)：10A

單脈沖雪崩能量(EAS)：140mJ

重復雪崩能量(EAR)：5.0mJ

二極管恢復峰值(dv/dt)：3.4V/ns

功耗(TC=25°C)(PD)：83W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)：1.5°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)：62°C/W

焊接的最高引線溫度(TL)：300°С

耐熱等級

規格（TJ=25 °C，除非另有說明）

TO-252封裝

TO-251封裝

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