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[常見問題解答]如何理解變容二極管的等效電路分析[ 2025-02-20 10:55 ]

變容二極管（Varactor Diode）作為一種重要的電子元件，廣泛應用于射頻電路中，尤其在調頻（FM）調制、頻率合成、壓控振蕩器（VCO）等領域具有不可替代的作用。它通過反向偏置電壓的變化來調節電容，因此成為電路設計中調整頻率和調諧的重要工具。理解變容二極管的等效電路，不僅能夠幫助我們更好地掌握其工作原理，還能在實際設計中有效提高電路性能。一、變容二極管的基本工作原理在理解變容二極管的等效電路之前，首先要清楚其工作原理。變容二極管是一種具有可調電容特性的二極管，其電容值會隨著反向偏置電壓的變化而發生變化。該二極

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[常見問題解答]探究部分陰影對光伏電池輸出效率的影響[ 2024-07-16 11:59 ]

一、引言在現代綠色能源解決方案中，太陽能光伏電池展現出其顯著的環境和經濟價值。它們通過太陽光轉換為電能，但在實際應用中，其發電能力常受到如陰影、惡劣天氣以及鳥類排泄物等因素的干擾。光伏模塊在不均勻照明的陰影下，其電力輸出特性便會受到影響。因此，本研究將聚焦于數學模型、仿真實驗及實證驗證，以深入探討光伏電池在陰影條件下的電力輸出特性，對于研究陰影下的最大功率點追蹤控制具有重要價值。二、實驗論證利用光電伏特效應，每個光伏單元可視為一個二極管、一個恒流源以及電阻的組合。通過Mu1tisim軟件進行模擬，其等效電路如圖所示

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[常見問題解答]電路分享，變容二極管等效電路介紹[ 2024-03-11 18:24 ]

電路分享，變容二極管等效電路介紹變容二極管或變容二極管主要用于射頻或射頻電路設計，以提供電壓控制的可變電容。這些電子元件可以以多種方式使用，其中電容水平需要由電壓控制，沒有它們，我們在收音機、手機和許多其他設備中享有的許多功能將是不可能的。變容二極管不僅可以用于電壓的模擬控制，例如在鎖相環中，還可以與微處理器結合使用，在微處理器中，可以數字方式產生電壓，然后轉換為模擬電壓，以通過使用數模轉換器ADC來控制二極管。事實上，變容二極管的應用幾乎是無限的，它們被用于各種不同的電路用途，用于一般電子電路設計和射頻設計。雖然

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[常見問題解答]功率MOS管的正向截止等效電路與穩態特性介紹[ 2023-08-24 18:26 ]

功率MOSFET的正向截止等效電路與穩態特性介紹功率MOSFET的正向截止等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環境溫度等有關，大小可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的穩態特性總結（1）：功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線（2）：說明：功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點：當門極不加控制時，其反向導通的穩態工作點同二極管。（3）：穩態特性總結：門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態；當VgsVth時，器件處于導通狀態；

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[常見問題解答]功率MOSFET的正反向導通等效電路解析[ 2023-08-24 18:06 ]

功率MOSFET的正反向導通等效電路解析功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率

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[常見問題解答]基于晶閘管設計的等效電路介紹[ 2023-07-31 16:50 ]

基于晶閘管設計的等效電路介紹在國內它被稱為可控硅，但是海外華人地區則普遍翻譯為晶閘管，它的英文名叫 Thyristor，是一種早期出現的用于控制電流單向導通的器件。與一般的二極管相比，它可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用，并體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點，廣泛用于無觸點開關、可控整流、逆變、調光、調壓、調速等方面。其電路符號一般表示如下要想理解它的工作原理，可以看看它的等效電路：也就是兩個三極管彼此相連，其運行方式可以跟EE專業里提到的通過三極管做的信號放大電路

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[常見問題解答]三極管電路分享：單結晶體管的等效電路[ 2023-07-27 17:37 ]

三極管電路分享：單結晶體管的等效電路單結晶體管是一種特殊的電子元件，可以用來實現弛張振蕩，圖1給出的是一個典型電路。電路利用了單結晶體管的負阻特性，其工作原理如下：電容C在接通電源時經R1充電，其電壓逐漸上升，達到單結晶體管的導通電壓時，eb1 導通，并進入負阻狀態，C經eb1 和R3 迅速放電，當C的電壓降到一定值時，eb1之間電阻迅速增大，單結管恢復阻斷狀態，此后C又開始充電并重復上述過程，形成周期振蕩。圖1 單結晶體管弛張振蕩電路但是單結晶體管的價格較高，我們可以利用兩個三極管(一個npn型和一個pnp型)搭

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[常見問題解答]半導體器件的放大電路設計方案介紹[ 2023-06-19 16:51 ]

半導體器件的放大電路設計方案介紹半導體器件的非線性特性使放大電路設計方案等效電路法半導體器件的非線性特性使放大電路的分析復雜化，利用線性元件建立模型，來描述非線性器件的特性，即為等效電路法。2.直流模型：適用于Q點的分析如下圖的放大電路，可求解出的靜態工作點如下所示：在求解靜態工作點時，做了如下的近似：1）輸入回路等效為恒壓源，即UBEQ近似等于一個常數，如取0.7V。2）輸出回路等效為電流控制的電流源，即有ICQ=βIBQ。此時，即已建立了等效模型如下圖，圖中等效電路的二極管為理想二極管，二極管限定了電流的方向。

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[常見問題解答]Gate-Source間電壓的動作介紹[ 2023-05-20 14:25 ]

Gate-Source間電壓的動作介紹低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的極性產生公式（1）的電動勢。公式（1）與上一篇文章中使用的公式相同。該電動勢引起的電流將源極側作為正極對CGS進行充電，因此在LS會將VGS向下推，在HS會將VGS向負極側拉，使之產生負浪涌（波形示意圖VGS的T1）。當ID的變化結束時，LS的VDS的電

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[常見問題解答]柵極–源極間電壓的動作介紹[ 2023-05-20 14:14 ]

柵極–源極間電壓的動作介紹低邊開關關斷時的柵極–源極間電壓的動作下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導通時相比，只是VDS和ID變化的順序發生了改變，其他基本動作是一樣的。與導通時的事件之間的對應關系如下：關斷導通事件(IV) → 事件(II)事件(V) → 事件(III)事件(VI) → 事件(I)dVDS/dt帶來的LS的VGS上升和HS的VGS負浪涌（

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[常見問題解答]場效應管的結構、電學符號和電學特性介紹[ 2023-04-18 15:25 ]

場效應管的結構、電學符號和電學特性介紹現在所有電子產品中的芯片、放大器中的基本結構就是MOSFET，學好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。學習MOSFET之前需要具備哪些知識?基本電路的電路知識包括：電阻、電容、電感的知識、KCL、KVL、戴維南等效電路、諾頓等效電路等。全文內容：MOSFET的結構MOSFET的電學符號和電學特性1、MOSFET的結構MOSFET的名字就反應了本文要講的內容：M-Metal-導體，O-Oxide-氧化物(絕緣體)，S-Semiconductor-半導體，F-Field，E

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[常見問題解答]等效電路圖的幾種畫法介紹[ 2023-03-14 16:12 ]

等效電路等效電路又稱“等值電路”。在同樣給定條件下，可代替另一電路且對外性能不變的電路。電機、變壓器等電氣設備的電磁過程可用其相應的等效電路來分析研究。等效電路是將一個復雜的電路，通過電阻等效、電容等效，電源等效等方法，化簡成具有與原電路功能相同的簡單電路。這個簡單的電路，稱作原復雜電路的等效電路。等效電路圖的畫法步驟1、認真審題，在草稿紙上畫出原圖，并把開關的狀態、滑動變阻器的滑片所處的位置依題意畫下；2、根據電流路徑的優先走法，把沒有電流經過的元件用橡皮擦擦掉，同時將斷開的開關及與其串

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[常見問題解答]IGBT中的閂鎖效應介紹[ 2023-02-01 18:32 ]

閂鎖（Lanch-up）效應，一般我們也可以稱之為擎住效應，是由于IGBT超安全工作區域而導致的電流不可控現象，當然，閂鎖效應更多的是決定于IGBT芯片本身的構造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應~一般我們認為IGBT的理想等效電路如下圖所示：上圖直觀地顯示了IGBT的組成，是對PNP雙極型晶體管和功率MOSFET進行達林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。故在G-E之間外加正向電壓使MOS管導通時，PNP晶體管的基極-集電極之間就連上了低電阻，從而使PNP晶體管

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[常見問題解答]繼電器驅動電路中的二極管保護電路故障分析和處理[ 2022-11-16 15:06 ]

繼電器內部具有線圈的結構，所以它在斷電時會產生電壓很大的反向電動勢，會擊穿繼電器的驅動三極管，為此要在繼電器驅動電路中設置二極管保護電路，以保護繼電器驅動管。如圖9-53所示是繼電器驅動電路中的二極管保護電路，電路中的J1是繼電器，VD1是驅動管VT1的保護二極管，R1和C1構成繼電器內部開關觸點的消火花電路。 1.電路工作原理分析繼電器內部有一組線圈，如圖9-54所示是等效電路，在繼電器斷電前，流過繼電器線圈L1的電流方向為從上而下

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[常見問題解答]單結晶體管的原理和特性介紹[ 2022-01-06 10:58 ]

單結晶體管的原理和特性介紹單結晶體管(簡稱UJT)又稱基極二極管，是一種常用的半導體器件，它雖有三個管腳，很像半導體三極管，但它只有一個pN結，即一個發射極和兩個基極，所以又稱它為雙基極二極管;它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2，在硅片中間略偏b2一側用合金法制作一個P區作為發射極e。下面來看看其的原理和特性吧：1.結構單結晶體管的內部結構、符號表示、等效電路以及引腳排列，如圖1(a)、(b)、(c)、(d)所示。引腳b1、b2分別為第一基極和第二基極(雙基極)，e為發射極。e極

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[行業資訊]「TIP31C,TIP32C」晶體管之負載開關等效電路圖 - 壹芯微[ 2021-07-31 09:20 ]

「TIP31C,TIP32C」晶體管之負載開關等效電路圖 - 壹芯微型號：TIP31C(3000mA,100V) TIP32C(3000mA,100V)封裝：TO-220/TO-252品牌：壹芯微|類型：晶體管TRANSISTORS多種封裝尺寸不同參數一致免費樣品歡迎咨詢關于負載開關ON時的浪涌電流負載開關Q1導通瞬間會暫時流過比穩態電流大得多的電流。輸出側的負載容量CL的電荷接近零時，向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大充電電流。這種流過大電流的現象稱作浪涌電流（Flash Current）。浪涌

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[常見問題解答]〔壹芯〕生產IRF1404場效應管180A-40V,參數達標,質量穩定[ 2021-06-10 10:38 ]

〔壹芯〕生產IRF14040場效應管180A-40V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號：IRF1404　　　　　　　極性：NIDA(A)：180　　　　　　　VDSS(V)：40RDS(on)　MAX(Ω)：0.0037　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：106　Vgs(V)：25　Io(A)：60封裝：TO-220知識科普電力場效應晶體管極間電容與漏-源極電壓的關系C=f(uDS)電力MOSFET的極間電容對開關過程有直接影響，其等效電路如圖1.

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[常見問題解答]MOS管開關電路圖詳解(四)[ 2021-03-27 09:59 ]

MOS管開關電路圖詳解(四)正激式驅動電路電路原理如圖9（a）所示，N3為去磁繞組，S2為所驅動的功率管。R2為防止功率管柵極、源極端電壓振蕩的一個阻尼電阻。因不要求漏感較小，且從速度方面考慮，一般R2較小，故在分析中忽略不計。其等效電路圖如圖9（b）所示脈沖不要求的副邊并聯一電阻R1，它做為正激變換器的假負載，用于消除關斷期間輸出電壓發生振蕩而誤導通。同時它還可以作為功率MOSFET關斷時的能量泄放回路。該驅動電路的導通速度主要與被驅動的S2柵極、源極等效輸入電容的大小、S1的驅動信號的速度以及S1所能提供的電流

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[常見問題解答]半導體三極管的知識簡介(5)[ 2021-03-23 09:23 ]

半導體三極管的知識簡介(5)三極管知識簡介（5）光敏三極管在原理上類似于晶體管，只是它的集電結為光敏二極管結構。它的等效電路見圖T313。由于基極電流可由光敏二極管提供，故一般沒有基極外引線(有基極外引線的產品便于調整靜態工作點)。如在光敏三極管集電極c和發射極e之間加電壓，使集電結反偏，則在無光照時，c、e 間只有漏電流ICEO，稱為暗電流，大小約為0.3 μA。有光照時將產生光電流IB，同時IB被“放大”形成集電極電流IC，大小在幾百微安到幾毫安之間。光敏三極管的輸出特性和晶體管類似，只

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[常見問題解答]三極管放大電路動態知識[ 2021-03-05 14:23 ]

三極管放大電路動態知識把圖所示的電路中的晶體管用共h參數等效模型取代便得到共集放大電路的交流等效電路，如下圖所示。根據電壓放大倍數定義，可得當，，，故稱共集放大電路為射極跟隨器。輸入與輸出電壓同相，且Uo<Ui，無電壓放大能力，但有電流放大。因為輸出電流為Ie，輸入電流為Ib，放大了倍。輸入電阻可見，發射極電阻Re等效到基極回路時，將增大倍，因此共集放大電路的輸入電阻比共射放大電路的輸入電阻大得多。輸出電阻為了計算輸出電阻Ro，令輸入信號為零，在輸出端

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