半導體器件的放大電路設計方案介紹

半導體器件的非線性特性使放大電路設計方案

等效電路法

半導體器件的非線性特性使放大電路的分析復雜化，利用線性元件建立模型，來描述非線性器件的特性，即為等效電路法。

2.直流模型：適用于Q點的分析

如下圖的放大電路，可求解出的靜態(tài)工作點如下所示：

在求解靜態(tài)工作點時，做了如下的近似：

1）輸入回路等效為恒壓源，即UBEQ近似等于一個常數(shù)，如取0.7V。

2）輸出回路等效為電流控制的電流源，即有ICQ=βIBQ。

此時，即已建立了等效模型如下圖，圖中等效電路的二極管為理想二極管，二極管限定了電流的方向。

因此，利用估算法求解靜態(tài)工作點，實質(zhì)上利用了直流模型。

3.晶體管的h參數(shù)等效模型（交流等效模型）

在交流通路中可將晶體管看成為一個二端口網(wǎng)絡，輸入回路、輸出回路各為一個端口。

要得到在變化量下的函數(shù)關系，需對關系式做全微分。在低頻、小信號作用下的關系式如下：

因此，按照上式可畫出如下的交流等效模型：

h參數(shù)的物理意義：h11的物理意義是b-e之間的動態(tài)電阻。

根據(jù)表達式可知，h11指的是在CE之間的電壓是常數(shù)時，BE之間的電壓有微小的變化時與iB的變化關系。

h12為內(nèi)反饋系數(shù)。輸出通過一定的方式影響了輸入，即為反饋。

h21為電流放大系數(shù)，h22為c-e之間的電導。

由此可建立簡化的h參數(shù)等效電路-交流等效模型，并且對于晶體管從輸入回路看到的結(jié)構如下：

在輸入特性曲線上，Q點越高，rbe越小。

壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場效應管)、橋堆”研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，20年行業(yè)經(jīng)驗，擁有先進全自動化雙軌封裝生產(chǎn)線、高速檢測設備等，研發(fā)技術、芯片源自臺灣，專業(yè)生產(chǎn)流程管理及工程團隊，保障所生產(chǎn)每一批物料質(zhì)量穩(wěn)定和更長久的使用壽命，實現(xiàn)高度自動化生產(chǎn)，大幅降低人工成本，促進更好的性價比優(yōu)勢！選擇壹芯微，還可為客戶提供參數(shù)選型替代，送樣測試，技術支持，售后服務等，如需了解更多詳情或最新報價，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服！

手機號/微信：13534146615

QQ：2881579535