〔壹芯〕生產(chǎn)IRF14040場(chǎng)效應(yīng)管180A-40V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETS)

型號(hào)：IRF1404　　　　　　　極性：N

IDA(A)：180　　　　　　　VDSS(V)：40

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0037　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：106　Vgs(V)：25　Io(A)：60

封裝：TO-220

知識(shí)科普

電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管極間電容與漏-源極電壓的關(guān)系C=f(uDS)

電力MOSFET的極間電容對(duì)開關(guān)過程有直接影響，其等效電路如圖1.14所示。

這些電容分為兩類：CGS、CGD是由MOS結(jié)構(gòu)形成的，它們的大小取決于幾何形狀和絕緣層的厚度，其數(shù)值很穩(wěn)定，幾乎不隨電壓和溫度變化；CDS則是由PN結(jié)形成的，其大小決定于溝道面積和有關(guān)結(jié)構(gòu)的反偏寬度，它將會(huì)受到電壓和溫度變化的影響。

在應(yīng)用中，常用輸入電容Cin、輸出電容Co及反饋電容Crss的概念，它們與電力MOSFET極間電容的關(guān)系可參見式(1.6)~式(1.8)。它們與MOSFET漏-源極間所加電壓uDS的大小密切相關(guān)。

當(dāng)uDS<5V時(shí)，Crss<Cin<Co

當(dāng)uDS>5V時(shí)，Crss<Co<Cin

這些電容與uDS的關(guān)系曲線如圖1.15所示。

開關(guān)時(shí)間與器件的極間電容和寄生電感有關(guān)，它們之間的關(guān)系都是非線性的，因此開關(guān)時(shí)間明顯地與驅(qū)動(dòng)源參數(shù)和漏極負(fù)載情況有關(guān)。

測(cè)試條件不同，參數(shù)值也不同，因此要明確標(biāo)出測(cè)試時(shí)的uDS、iD、驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻Z0、過驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電壓uGS的脈沖參數(shù)。

電力MOSFET的開關(guān)速度幾乎不隨溫度而變化，其動(dòng)態(tài)損耗也不隨溫度變化，其開關(guān)速度的快慢僅與寄生電容的充放電時(shí)間相對(duì)應(yīng)。

<壹芯微科技>專注二三極管領(lǐng)域研發(fā)制造，針對(duì)二三極管作出了良好的性能測(cè)試，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源、LED照明、光伏、儀表儀器、數(shù)碼產(chǎn)品、各種小家電等領(lǐng)域。如果您遇到需要幫助解決的問題，可以點(diǎn)擊頁(yè)面右側(cè)咨詢工程師、或銷售經(jīng)理為您提供精準(zhǔn)的產(chǎn)品報(bào)價(jià)與介紹。