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10N65場效應管參數中文資料PDF(選型替代FQP10N65) - 壹芯微10N65場效應管參數(電流(ID):10A,電壓(VDSS):650V),N溝道增強型場效應晶體管,10N65場效應管封裝形式為TO220,1...
7N65場效應管 MOS 7N65場效應管參數規格書(PDF)7N65場效應管,封裝形式為TO252/TO220兩種封裝,7N65場效應管規格書,7N65場效應管引腳管腳圖壹芯微7N65完美匹配替代原型號FQP7N65場...
7N60場效應管 MOS 7N60場效應管參數中文資料(PDF)7N60場效應管,封裝形式為TO252/TO220兩種封裝,7N60場效應管規格書,7N60場效應管引腳管腳圖壹芯微7N60完美匹配替代原型號FQP7N60...
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2N60?場效應管參數 封裝引腳圖報價中文資料規格書PDF 現貨廠家,2N60場效應管參數，2N60中文資料PDF，2N60引腳圖，2N60規格書，MOS管廠家，免費樣品，選型幫助，技術支持。型號：2N60；極性：N溝道...
型號：SI2302；極性：N溝道；ID/VDSS：2.5A/20V；封裝：SOT-23 ，N溝道增強型場效應晶體管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
型號：SI2301；極性：P溝道；ID/VDSS：-2.4A/-20V；封裝：SOT-23，P溝道增強型場效應晶體管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
型號：SI2300；極性：N溝道；ID/VDSS：3.8A/20V；封裝：SOT-23 SI2300采用先進的溝槽工藝技術，用于超低導通電阻的高密度電池設計，高功率和電流處理能力，鋰離子電池組應用的理想選擇包裝尺寸。
型號：AO3415；極性：P溝道；ID/VDSS：-4A/-20V；封裝：SOT-23 AO3415 使用先進的溝槽技術提供出色的Rds(ON)、低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設備適合用作負載開關應用。
型號：AO3402；極性：N溝道；ID/VDSS：4A/30V；封裝：SOT-23AO3402使用先進的溝槽技術提供出色的Rds(ON)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適合用作負載開關或PWM應用。
AO3401是P溝道MOS場效應管(MOSFET)，AO3401使用先進的溝槽技術提供出色的Rds(ON)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適合用作負載開關或PWM應用。標準產品AO3401不含鉛（符合 R...
AO3400是N溝道NMOS場效應管，AO3401則是P溝道PMOS管，兩者溝道不同，其他性能基本一致，Vds：-30V；Id：-4A；是其AO34xx代號的意思，代表主要性能；在低壓開關時建議使用AO3400，AO34...
「TIP31C,TIP32C」晶體管之負載開關等效電路圖 - 壹芯微型號：TIP31C(3000mA,100V) TIP32C(3000mA,100V)封裝：TO-220/TO-252品牌：壹芯微|類型：晶體...
「12N65」MOS場效應管導通條件和基本開關電路解析型號：12N65(12A,650V)封裝：TO-220品牌：壹芯微|類型：場效應管MOSFET多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢導通條件NMOS管和PM...
「10N65」MOS場效應管相關知識看這一篇就夠了型號：10N65(10A,650V)封裝：TO-220品牌：壹芯微|類型：場效應管MOSFET多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢場效應管分類場效應管分為結型...
「TIP127」 晶體管內部的工作原理解析型號：TIP127(8000mA,100V)封裝：TO-220/TO-252品牌：壹芯微|類型：晶體管TRANSISTORS多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢晶體管...
「TIP122」晶體三極管工作原理解析 - 壹芯微型號：TIP122(8000mA,100V)封裝：TO-220/TO-252品牌：壹芯微|類型：晶體管TRANSISTORS多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨...
「S8550」麒麟990處理器所用晶體管的數量型號：S8550(1500mA,25V)封裝：TO-92/SOT-23品牌：壹芯微|類型：晶體管TRANSISTORS多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢硬件型號...
「S8050」什么是隧穿場效應晶體管,工作原理解析型號：S8050(1500mA,25V)封裝：TO-92/SOT-23品牌：壹芯微|類型：晶體管TRANSISTORS多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢一、...
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