SI2301(MOS)場效應管參數 封裝引腳圖報價中文資料pdf 生產廠家

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型號：SI2301；極性：P溝道；ID/VDSS：-2.4A/-20V；封裝：SOT-23

P溝道增強型場效應晶體管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

產品參數概要

· -20V, -2.8A

· RDS(ON)=100m? @VGS=-4.5V.

· RDS(ON)=150m? @VGS=-2.5V.

· High dense cell design for extremely low RDS(ON).

· Rugged and reliable.

· SOT-23 package

絕對最大額定參數(參數與最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源電壓Vds）：-20v

· Gate-Source Voltage（柵源電壓Vgs）：±8v

· Continuous Drain Current（漏極電流Id 25℃）：-2.8A

· Continuous Drain Current（漏極電流Id 70℃）：-10A

· Power Dissipation（功率損耗Pd）：1.25W

· Junction and Storage Temperature Range（溫度范圍）：-55~150℃

壹芯微SI2301數據手冊下還有熱特性，靜態特性與電電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

SI2301,SOT23數據手冊(查看下載)

壹芯微（Yixin）二極管選型品牌生產廠家，專注于二三極管功率半導體器件研發、生產、銷售一體化服務，提供免費送樣，選型幫助，技術支持。主要生產銷售各式貼片/直插二三極管、MOS(場效應管)、肖特基二極管、快恢復二極管、低壓降二極管、TVS二極管、整流二極管、可控硅(晶閘管)、三端穩壓管(穩壓電路)、橋堆等功率器件選型產品。壹芯微產品以高質量高標準的生產理念、精益求精品質如一的企業態度服務于大眾，贏得業界內一致的好評。引進大量先進的二三極管選型封裝測試全自動化設備、專業生產系列精密設備等，芯片技術源自臺灣，完美替代進口品牌，產品均已通過歐盟等各大管理體系認證，應用領域廣泛，優質研發技術團隊為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。

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