AO3400場效應管參數 封裝引腳規格書PDF 全國供應商生產廠家

AO3400是N溝道NMOS場效應管，AO3401則是P溝道PMOS管，兩者溝道不同，其他性能基本一致，Vds：-30V；Id：-4A；是其AO34xx代號的意思，代表主要性能；在低壓開關時建議使用AO3400，AO3401，Rds(ON)導通內阻會稍小。高壓開關時需要用AO3407，及以上的，Vgs不同，MOS導通內阻也不同，請比對規格書選用。

AO3400采用了先進的溝槽技術與低電阻封裝提供極低的RDS(ON)，低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適合用作負載開關或PWM應用。標準產品AO3400不含鉛（符合 ROHS 和 Sony 259 規范）。 

AO3400L是綠色產品訂購選項。 AO3400和AO3400L在電氣上是相同的。

AO3400,SOT23(N溝道增強型場效應晶體管)主要參數特性如下

· Vds(V)：30V

· Id(Vgs=10V情況下)：5.8A

· Rds(ON) (Vgs=10v情況下)：<28mΩ

· Rds(ON) (Vgs=4.5v情況下)：<33mΩ

· Rds(ON) (Vgs=2.5v情況下)：<52mΩ

絕對最大額定參數(參數與最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源電壓Vds）：30v

· Gate-Source Voltage（柵源電壓Vgs）：±12v

· Continuous Drain Current（漏極電流Id 25℃）：5.8A

· Continuous Drain Current（漏極電流Id 70℃）：4.9A

· Power Dissipation（功率損耗Pd 25℃）：1.4W

· Power Dissipation（功率損耗Pd 70℃）：1W

· Junction and Storage Temperature Range（溫度范圍）：-55~150℃

壹芯微AO3400數據手冊下還有熱特性和靜態特性等，建議自行閱讀觀看。

AO3400,SOT23數據手冊(查看下載)

關于MOS輸出特性曲線的理解：

輸出特性曲線的繪制是在VDS之間不加其他負載時繪制得到的，所以一條輸出特性曲線上的ID，是在該UGS電壓下，ID能提供的最大電流。從原理來講的話，DS之間有一個受UGS與UDS控制的電阻，就是溝道，當其工作在恒流區的時候，這個電阻只受UGS控制，所以工作在恒流區的時候通過改變UGS就能改變RDS這個電阻的變化，其流過的電流ID就會發生改變。

實際的控制過程其實是通過UGS控制溝道電阻的變化，電阻的變化引起電流ID的變化。在實際的分析計算過程中略過了對溝道控制這個環節，直接將UGS與ID之間的變化關系用gm低頻互導這個參數代替。這個參數就是從轉移特性曲線繪制出來的。

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