SI2302場效應管參數 SI2302中文資料pdf封裝引腳圖報價規格書

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型號：SI2302；極性：N溝道；ID/VDSS：2.5A/20V；封裝：SOT-23

N溝道增強型場效應晶體管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

產品參數概要

· ID：2.5A

· VDSS：20V

· RDS(ON)=72m? @VGS=4.5V

· RDS(ON)=110m? @VGS=2.5V

SI2302用于極低Rds(ON)的高密度電池設計獲得無鉛產品，堅固可靠，SOT-23封裝。

絕對最大額定參數(參數與最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源電壓Vds）：-20v

· Gate-Source Voltage（柵源電壓Vgs）：±8v

· Continuous Drain Current（漏極電流Id 25℃）：-2.8A

· Continuous Drain Current（漏極電流Id 70℃）：-10A

· Power Dissipation（功率損耗Pd）：1.25W

· Junction and Storage Temperature Range（溫度范圍）：-55~150℃

壹芯微SI2302數據手冊下還有熱特性，靜態特性與電電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

SI2302,SOT23數據手冊(查看下載)

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