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        2N60場效應管參數 封裝引腳圖報價中文資料規格書PDF 現貨廠家

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        2N60場效應管參數 封裝引腳圖報價中文資料規格書PDF 現貨廠家

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        型號:2N60;極性:N溝道;ID/VDSS:2A/600V;封裝:TO-252/TO-220

        600V,N溝道增強型場效應晶體管(600V,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

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        2N60,TO252/TO220,MOS場效應管封裝引腳 電路符號

        產品參數概要

        · ID:2A

        · VDSS:600V

        · RDS(ON):4.5Ω(MAX) @VG:10V

        · 100% 雪崩測試

        低本征電容出色的開關特性,擴展的安全工作區域,無與倫比的柵極電荷:8.5nC(典型值)

        2N60,TO252/TO220,MOS場效應管 參數概要

        絕對最大額定參數(參數與最大值)如下

        · Drain-Source Voltage(漏源電壓Vds):600V

        · Gate-Source Voltage(柵源電壓Vgs):±30V

        · Continuous Drain Current(漏極電流Id Tc=25℃):2A

        · Continuous Drain Current(漏極電流Id Tc=100℃):1.5A

        · Power Dissipation(功率損耗Pd):44W

        · Junction and Storage Temperature Range(溫度范圍):-55~+150℃

        壹芯微2N60數據手冊下還有熱特性,靜態特性與電氣參數等,建議自行閱讀觀看。

        2N60,TO220數據手冊(查看下載)

        2N60,TO252/TO220,MOS場效應管 最大額定參數

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