4N60場效應管參數封裝引腳圖規格書中文資料PDF 現貨廠家

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型號：4N60；極性：N溝道；ID/VDSS：4A/600V；封裝：TO-252/TO-220

600V,N溝道增強型場效應晶體管(600V,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

產品參數概要

· ID：4A

· VDSS：600V

· RDS(ON)：2.5Ω(MAX) @VGS：10V

· 低Crss（典型值8.0 pF）

快速切換，100%雪崩測試，改進的dv/dt能力

絕對最大額定參數(參數與最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源電壓Vds）：600V

· Gate-Source Voltage（柵源電壓Vgs）：±30V

· Continuous Drain Current（漏極電流Id Tc=25℃）：2.6A

· Continuous Drain Current（漏極電流Id Tc=100℃）：1.64A

· Power Dissipation（功率損耗Pd）：36W

· Junction and Storage Temperature Range（溫度范圍）：-55~+150℃

壹芯微4N60數據手冊下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

4N60,TO220數據手冊(查看下載)

壹芯微（Yixin）二極管選型品牌生產廠家，專注于二三極管功率半導體器件研發、生產、銷售一體化服務，提供免費送樣，選型幫助，技術支持。主要生產銷售各式貼片/直插二三極管、MOS(場效應管)、肖特基二極管、快恢復二極管、低壓降二極管、TVS二極管、整流二極管、可控硅(晶閘管)、三端穩壓管(穩壓電路)、橋堆等功率器件選型產品。壹芯微產品以高質量高標準的生產理念、精益求精品質如一的企業態度服務于大眾，贏得業界內一致的好評。引進大量先進的二三極管選型封裝測試全自動化設備、專業生產系列精密設備等，芯片技術源自臺灣，完美替代進口品牌，產品均已通過歐盟等各大管理體系認證，應用領域廣泛，優質研發技術團隊為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。

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