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[常見問題解答]場效應管引腳辨識全指南：三極如何快速區分？[ 2025-03-26 17:58 ]

在實際電子制作或維修過程中，我們經常會遇到各種類型的場效應管（FET），而準確識別其三個引腳——源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate），則是使用這類器件的關鍵步驟。尤其在面對沒有明確型號標識或數據手冊的器件時，掌握一些實用的辨別技巧將大大提高工作效率。一、基礎回顧：場效應管的三大引腳場效應管是一種電壓控制型半導體器件，常見于信號放大、電平轉換、功率驅動等場景。無論是結型場效應管（JFET），還是絕緣柵型場效應管（MOSFET），它們都擁有三個主要引腳：- 源極（S）：電流

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[常見問題解答]什么是MOS管的連續漏極電流？從基礎到實際應用的全面剖析[ 2024-10-23 15:50 ]

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是非常常見的器件。它在放大電路的各種電流管理和漏電流中起著重要作用，直接影響MOS管的工作效率和穩定性。本文將從基本概念出發，詳細分析MOS管的連續漏極電流，并討論其實際應用。一、什么是連續電流連續漏極電流是指MOS管長時間穩定工作時從漏極流向源極的電流。它是MOS管的主要性能指標之一，直接反映MOS管在特定電壓和溫度條件下的性能。當MOS管處于導通狀態時，這個電流的大小決定了電路中MOS管的輸出特性、制造工藝、使用環境等。在器件數據手冊中，該參數通常為ID（漏極電流），以幫

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[常見問題解答]開關穩壓器中的電流模式控制介紹[ 2023-03-08 18:05 ]

有數千款不同的開關穩壓器，用戶會基于不同的參數選擇所需的類型，例如輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、最大輸出電流，以及許多其他參數。本文將針對電流模式進行介紹，這是數據手冊中常見的一項重要特性，同時還會分析此模式的優缺點。圖1.電流模式穩壓器的基本工作原理電流模式穩壓器解析圖1顯示電流模式穩壓器的基本工作原理。這里，不止將反饋電壓與內部基準電壓進行比較，還將其與生成電源開關所需的PWM信號所用的鋸齒形電壓斜坡進行比較。在電壓模式穩壓器中，該斜坡的斜率是固定的。在電流模式穩壓器中，斜率取決于電感電流，由圖1所示的開關節點的

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[常見問題解答]ESD二極管兼作溫度傳感器介紹[ 2023-02-09 16:26 ]

問：根據數據手冊規格估算高速放大器的結溫有多準確？結溫是否易于測量？答：從環境溫度（T一個）、功耗（PD），和熱阻 θJA），如公式1所示。TJ = TA + PDθJA (1)他告訴我一種替代方法，通過使用片上輸出級保護二極管作為溫度傳感器來獲得常用3端子穩壓器的結溫。他的公司在日常測試和評估期間使用保護二極管測量穩壓器的結溫。這種溫度檢測技術也可用于高速運算放大器。在圖1中，二極管D3和D4保護運算放大器免受靜電放電（ESD）的損壞。二極管 D

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[常見問題解答]雙端口、雙極性電源方案電路設計介紹[ 2022-11-24 16:27 ]

雙象限電源可以為相同的輸出端口提供正電壓或負電壓，而采用LT8714 4象限控制器可以輕松制造出這種電源。此處所示的雙象限電源可用于多種應用，從玻璃貼膜（更改極性會改變晶體分子的排列）到測試測量設備，應用廣泛。Lt8714數據手冊描述了雙象限電源在第一個象限（正輸入、正輸出）和第三個象限（正輸入、負輸出）的工作方式。注意，在這兩個象限中，電源都提供源電流，因此會產生電源，而非接收電源。第二象限和第四現象產生接收電源。電路描述及功能圖1所示為雙象限電源LT8714的電路圖。動力系統由NMOS QN1、NMOS QN2

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[常見問題解答]關于開關頻率需要考慮的詳情介紹[ 2022-10-22 15:53 ]

根據其數據手冊技術規格，開關穩壓器 IC 中內置的振蕩器通?？捎糜诜浅挼念l率范圍。例如：單片 ADP2386 降壓變換器 IC 可確保其開關頻率在設定值的±10%范圍內。其他常用的開關穩壓器 IC 則指定為設定值的±20%或更高范圍。由于 ADP2386 開關頻率具有±10%的變化范圍，在極端情況下，ADP2386 使用 RT 將開關頻率設置為 600 kHz，即可在 540 kHz 和 660 kHz 頻率下進行開關轉換。圖 1. ADP2386 降壓變換器，其開關頻率

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[常見問題解答]運算放大器基本電路_運算放大器電路符號介紹[ 2022-09-13 18:13 ]

運算放大器（簡稱“運放”）是具有很高放大倍數的電路單元。在實際電路中，通常結合反饋網絡共同組成某種功能模塊。它是一種帶有特殊耦合電路及反饋的放大器。其輸出信號可以是輸入信號加、減或微分、積分等數學運算的結果。由于早期應用于模擬計算機中用以實現數學運算，因而得名“運算放大器”。1.1 電源供電和單電源供電所有的運算放大器都有兩個電源引腳，一般在資料中，它們的標識是 VCC＋和 VCC－，但是有些時候它們的標識是 VCC＋和 GND。這是因為有些數據手冊的作者企圖將這種標

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[常見問題解答]IGBT換流回路中雜散電感的測量介紹 | 壹芯微[ 2022-09-02 19:04 ]

換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩，EMI或者電壓過沖等問題。因此在電路設計的時候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測量方法以及模塊數據手冊中雜散電感的定義方法。圖1為半橋電路的原理電路以及開關上管IGBT1時產生的電壓和電流波形。作為集中參數顯示的電路雜散電感Lσ，代表了整個回路（陰影區域）中的所有的分布電感（電容器、母線和IGBT模塊）。半橋電路以及開關IGBT1時的電流和電壓波形由于電流的變化，在雜散電感Lσ上產生了Lσ*dioff/dt的電壓降。它疊加在DC-link電壓Vcc上，被看作是關斷IGBT1

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[常見問題解答]大功率晶閘管參數解析之正向特性介紹[ 2022-08-24 17:24 ]

功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。電氣特性二極管和晶閘管的電氣特性隨溫度變化而變化，因此只有針對特定溫度給出的電氣特性才是有效的。除非另有說明，否則數據手冊中的所有值均適用于40至60Hz的電源頻率。最大值為制造商以絕對極限值形式給出的值，通常即使在短時間內也不可超過此值，否則可能導致元件功能下降或損壞。特征值為規定條件下的數

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[行業資訊]STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]

STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文參數,STD3NK50Z封裝引腳圖,STD3NK50Z數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)STD3NK50Z場效應管封裝TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 極高的dv/dt能力· ESD改進能力）· 100%雪崩測試· 新的高壓基準· 柵極電荷最小化絕對最大額定值（TC=25°C，除非

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[行業資訊]TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:05 ]

TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文參數,TK3P50D封裝引腳圖,TK3P50D數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)TK3P50D場效應管封裝TO-252特征開關穩壓器(1) 低漏源導通電阻：RDS(ON)=2.3Ω（典型值）(2) 高前向轉移導納：|Yfs|=1.0S（典型值）(3) 低漏電流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=500 V）(4) 增強模式：Vth=2.4至4.4V（VDS=10V，ID=1mA）絕對最大額定值（TC=25&de

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[行業資訊]HMC8038LP4CE規格參數數據手冊PDF〔壹芯微〕[ 2021-12-22 11:53 ]

HMC8038LP4CE規格參數數據手冊PDF〔壹芯微〕描述HMC8038LP4CE是一種高隔離、無反射、0.1GHz至6.0GHz硅單刀雙擲(SPDT)開關，采用無鉛表面安裝封裝。該交換機是蜂窩基礎設施應用的理想選擇，可產生高達4.0GHz的高達62dB的隔離，高達4.0GHz的低0.8dB的插入損耗，以及60dBm的輸入三階截距。功率處理在高達6.0GHz時非常出色，它為35dBm(VDD=5V)的0.1dB壓縮點(P0.1dB)提供了輸入功率。在極低直流電流下，從0V到1.8V/3.3V/5.0V的單正電壓

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[行業資訊]SPD02N50C3場效應管參數 (MOS管) SPD02N50C3規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 13:39 ]

SPD02N50C3場效應管參數 (MOS管) SPD02N50C3規格書參數代換〔壹芯微〕SPD02N50C3中文參數,SPD02N50C3封裝引腳圖,SPD02N50C3數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)SPD02N50C3場效應管主要參數（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：560V柵源電壓(VGSS)：±20V雪崩電流(IAR)：1.8A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：1.8A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1.1A漏極電流-脈沖(IDPlus)：5.

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[行業資訊]SDU05N04場效應管參數 (MOS管) SDU05N04規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:58 ]

SDU05N04場效應管參數 (MOS管) SDU05N04規格書參數代換〔壹芯微〕SDU05N04中文參數,SDU05N04封裝引腳圖,SDU05N04數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)SDU05N04場效應管主要參數（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：400V柵源電壓(VGSS)：±30V漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：4A漏極電流-連續(TJ=70°C)(ID)：3.3A漏極電流-脈沖(IDM)：12A單脈沖雪崩能量(EAS)：2.5mJ功耗(TC=25°

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[行業資訊]FDD5N50場效應管參數 (MOS管) FDD5N50規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:17 ]

FDD5N50場效應管參數 (MOS管) FDD5N50規格書參數代換〔壹芯微〕FDD5N50中文參數,FDD5N50封裝引腳圖,FDD5N50數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)FDD5N50場效應管主要參數（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：4A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：4A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：2.4A漏極電流-脈沖(IDM)：16A單脈沖雪崩能量(EAS)：256mJ重復雪崩能量

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[行業資訊]CJU04N65場效應管參數 CJU04N65參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:45 ]

CJU04N65場效應管參數 CJU04N65參數資料規格書〔壹芯微〕CJU04N65參數資料,選型替代,CJU04N65封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS)：650V柵源電壓(VGSS)：±30V漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：4.0A漏極電流-脈沖(IDM)：16A單脈沖雪崩能量(EAS)：280mJ功耗(TC=25°C)(PD)：1.25W工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С焊接的最高引線溫度(TL)：260°

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[行業資訊]JCS5N50RT場效應管參數 JCS5N50RT參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:38 ]

JCS5N50RT場效應管參數 JCS5N50RT參數資料規格書〔壹芯微〕JCS5N50RT參數資料,選型替代,JCS5N50RT封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：5A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：5A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：3.16A漏極電流-脈沖(IDM)：20A單脈沖雪崩能量(EAS)：305mJ重復雪崩能量(EAR)：10.1mJ二極管恢復峰值(dv/dt)：4.

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[行業資訊]TK5P50D場效應管參數 TK5P50D參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:09 ]

TK5P50D場效應管參數 TK5P50D參數資料規格書〔壹芯微〕TK5P50D參數資料,選型替代,TK5P50D封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：2A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：2.8A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1.8A漏極電流-脈沖(IDM)：9A單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ重復雪崩能量(EAR)：60mJ二極管恢復峰值(dv/dt)：50V/ns功耗(TC=

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[行業資訊]AOD3N50場效應管參數 AOD3N50參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 18:06 ]

AOD3N50場效應管參數 AOD3N50參數資料規格書〔壹芯微〕AOD3N50參數資料,選型替代,AOD3N50封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：2A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：2.8A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1.8A漏極電流-脈沖(IDM)：9A單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ重復雪崩能量(EAR)：60mJ二極管恢復峰值(dv/dt)：50V/ns功耗(TC=

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[行業資訊]RJK5030DPD場效應管參數 RJK5030DPD參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 17:54 ]

RJK5030DPD場效應管參數 RJK5030DPD參數資料規格書〔壹芯微〕RJK5030DPD參數資料,選型替代,RJK5030DPD封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓VDSS：500V柵源電壓VGSS：30V漏極電流ID：5A漏極峰值電流ID(脈沖)：20A雪崩電流IAP：5A通道耗散Pch：41.7W通道到外殼的熱阻抗符號θch-c：3.0C/W通道溫度Tch：150C儲存溫度Tstg：-55至+150C〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可

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