來源：壹芯微 發布日期
2021-12-21 瀏覽：-SPD02N50C3場效應管參數 (MOS管) SPD02N50C3規格書參數代換〔壹芯微〕
SPD02N50C3中文參數,SPD02N50C3封裝引腳圖,SPD02N50C3數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)
SPD02N50C3場效應管主要參數（最大額定值）：
漏源電壓(VDSS)：560V
柵源電壓(VGSS)：±20V
雪崩電流(IAR)：1.8A
漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：1.8A
漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1.1A
漏極電流-脈沖(IDPlus)：5.4A
單脈沖雪崩能量(EAS)：50mJ
重復雪崩能量(EAR)：0.07mJ
二極管恢復峰值(dv/dt)：15V/ns
功耗(TC=25°C)(Ptot)：25W
工作與貯存溫度范圍(Tj,Tstg)：-55~+150°С
熱阻-結到外殼(RθJC)：5°C/W
熱阻-結到環境(RθJA)：75°C/W
焊接的最高引線溫度(Tsold)：260°С
SPD02N50C3場效應管封裝規格：
PTO252-3-1,TO252-3-11,TO252-3-21(D-PAK)
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