來源：壹芯微 發布日期
2021-12-16 瀏覽：-RJK5030DPD場效應管參數 RJK5030DPD參數資料規格書〔壹芯微〕
RJK5030DPD參數資料,選型替代,RJK5030DPD封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家
漏源電壓VDSS：500V
柵源電壓VGSS：30V
漏極電流ID：5A
漏極峰值電流ID(脈沖)：20A
雪崩電流IAP：5A
通道耗散Pch：41.7W
通道到外殼的熱阻抗符號θch-c：3.0C/W
通道溫度Tch：150C
儲存溫度Tstg：-55至+150C
〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。
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