FDD5N50場效應管參數 (MOS管) FDD5N50規格書參數代換〔壹芯微〕

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FDD5N50場效應管主要參數（最大額定值）：

漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

雪崩電流(IAR)：4A

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：4A

漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：2.4A

漏極電流-脈沖(IDM)：16A

單脈沖雪崩能量(EAS)：256mJ

重復雪崩能量(EAR)：4mJ

二極管恢復峰值(dv/dt)：4.5V/ns

功耗(TC=25°C)(PD)：40W

功耗(25°C以上)(PD)：0.3W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)：1.4°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)：110°C/W

焊接的最高引線溫度(TL)：300°С

〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。

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