來源：壹芯微 發布日期
2021-12-21 瀏覽：-SDU05N04場效應管參數 (MOS管) SDU05N04規格書參數代換〔壹芯微〕
SDU05N04中文參數,SDU05N04封裝引腳圖,SDU05N04數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)
SDU05N04場效應管主要參數（最大額定值）：
漏源電壓(VDSS)：400V
柵源電壓(VGSS)：±30V
漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：4A
漏極電流-連續(TJ=70°C)(ID)：3.3A
漏極電流-脈沖(IDM)：12A
單脈沖雪崩能量(EAS)：2.5mJ
功耗(TC=25°C)(PD)：68W
功耗(TC=70°C)(PD)：48W
工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~175°С
熱阻-結到外殼(RθJC)：2.2°C/W
熱阻-結到環境(RθJA)：50°C/W
SDU05N04場效應管封裝規格：
TO-252(D-PAK),TO-251S(I-PAK),TO-251L(I-PAK)
〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。
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