來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-12-20 瀏覽：-CJU04N65場效應管參數(shù) CJU04N65參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕
CJU04N65參數(shù)資料,選型替代,CJU04N65封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產廠家
漏源電壓(VDSS)：650V
柵源電壓(VGSS)：±30V
漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：4.0A
漏極電流-脈沖(IDM)：16A
單脈沖雪崩能量(EAS)：280mJ
功耗(TC=25°C)(PD)：1.25W
工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С
焊接的最高引線溫度(TL)：260°С
〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數(shù)達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業(yè)售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。
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