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AO3400場效應管參數|AO3400(SOT23)規格書資料|壹芯微 產品類型 場效應管 產品型號 AO3400 極性 NPN 漏源電壓 30V 漏極電流 5.8A 封裝 SOT-23
STM32F103R8T6TR中文資料PDF介紹與封裝描述STM32F103R8T6TR包含以72MHz頻率運行的高性能ARMCortex-M332位RISC內核、高速嵌入式存儲器(高達128KB的閃存和高達20KB的S...
TPS2373-4RGWR詳細參數PDF與引腳圖描述TPS2373-4RGWR包含實現IEEE802.3at或IEEE802.3bt(草案)(類型1-4)受電設備(PD)所需的所有功能。低內部開關電阻允許TPS2373-...
TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝描述TPS22901YFPR是一款小型低導通電阻(rON)負載開關，具有可控導通功能。該器件包含一個P溝道MOSFET，可在1.0至3.6V的輸入電壓范圍內工作。該開關由...
2N60,2N60場效應管參數,引腳圖,2N60規格書中文資料 - 壹芯微產品型號：2N60描述：MOSFET,N-CH,600V,1.6A,TO220F詳細描述：通孔,N通道,600V,1.6A（Tc）,28W（Tc）...
si2302,si2302場效應管參數,引腳圖,si2302規格書中文資料 - 壹芯微產品型號：si2302描述：MOSFET,N-CH,20V,3A,SOT-23詳細描述：表面貼裝型,N通道,20V,3A（Ta）1.2...
si2301,si2301場效應管參數,引腳圖,si2301規格書中文資料 - 壹芯微產品型號：si2301描述：MOSFET,P-CH,20V,2.8A,SOT-23詳細描述：表面貼裝型,P通道,20V,2.8A（Ta...
si2300,si2300場效應管參數,引腳圖,si2300規格書中文資料 - 壹芯微產品型號：si2300描述：MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23詳細描述：表面貼裝型,N通道,20V,4.5A（Tj）...
TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝 - 壹芯微描述TPS22901YFPR是一款小型低導通電阻(rON)負載開關，具有可控導通功能。該器件包含一個P溝道MOSFET，可在1.0至3.6V的輸入電壓范圍內工...
TPS2061CDBVR中文資料PDF - 壹芯微描述TPS2061CDBVR配電開關適用于可能會遇到大電容負載和短路的應用，例如USB。當輸出負載超過電流限制閾值時，TPS2061CDBVR通過在恒流模式下運行，將輸出...
TPS2378DDAR中文資料PDF與引腳圖及封裝 - 壹芯微描述該8引腳集成電路包含實現IEEE802.3at2型受電設備(PD)所需的所有功能。0.5Ω的低內部開關電阻與PowerPAD™封裝的增強散熱相...
AO3415,AO3415場效應管參數,引腳圖,AO3415規格書中文資料 - 壹芯微產品型號：AO3415描述：MOSFET,P-CH,20V,4A,SOT23-3L詳細描述：表面貼裝型,P通道,20V,4A（Ta）,...
AO3402,AO3402場效應管參數,引腳圖,AO3402規格書中文資料 - 壹芯微產品型號：AO3402描述：MOSFET,N-CH,30V,4A,SOT23-3L詳細描述：表面貼裝型,N通道,30V,4A（Ta）,...
AO3401,AO3401場效應管參數,引腳圖,AO3401規格書中文資料 - 壹芯微產品型號：AO3401描述：MOSFET,P-CH,30V,4A,SOT23-3詳細描述：表面貼裝型P通道,30V,4A（Ta）,1....
AO3400,AO3400場效應管參數,引腳圖,AO3400規格書中文資料 - 壹芯微產品型號：AO3400描述：MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3詳細描述：表面貼裝型 N 通道 30 V 5.8A...
STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文參數,STD3NK50Z封裝引腳圖,STD3NK50Z數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)STD3NK50Z場效應管封裝TO...
TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文參數,TK3P50D封裝引腳圖,TK3P50D數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)TK3P50D場效應管封裝TO-252特征開關穩壓...
? 低柵極電荷Qg導致簡單驅動要求 ? 改進的門限、雪崩和動態dV/dt堅固性 ? 充分表征電容和雪崩電壓和電流 ? 指定有效成本 ? 材料分類：用于合規性定義 應用：開關電源(SMPS)，不間斷電源供應，高速...
SVF3N50D/MJ,N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及原胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高 的雪崩擊穿耐量。 該產品可廣泛應用...
FIR5N50BPG,LG硅N溝道增強型VDMOSFET，采用自對準平面技術獲得，可降低傳導損耗，提高開關性能并增強雪崩能量。 該晶體管可用于系統的各種電源開關電路小型化和更高的效率。 封裝形式為符合RoHS標準的TO-...
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