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        [行業資訊]12N65場效應管參數|10N65(TO220)規格書資料|壹芯微[ 2022-02-25 13:55 ]
        12N65場效應管參數|12N65(TO220)規格書資料|壹芯微 產品類型 場效應管 產品型號 12N65 極性 NPN 漏源電壓 650V 漏極電流 12A 封裝 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-262,TO-263,TO-3P,TO-3PN
        http://www.kannic.com/Article/12n65cxygcs_1.html3星
        [行業資訊]2N65場效應管參數資料大全,2N65代換選型手冊[ 2021-10-13 14:49 ]
        2N65場效應管參數資料大全,2N65代換選型手冊2N65系列場效應管TO-252封裝引腳圖:壹芯微供應2N65系列的場效應管型號如下(尾綴不同,參數一致,主要區分材質、封裝與包裝方式)2N65L-TA3-T 2N65G-TA3-T 封裝形式TO-2202N65L-TF1-T 2N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F12N65L-TF2-T 2N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F22N65L-TF3-T 2N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F2N65L-TF3T-T 2N65G-TF3T-T
        http://www.kannic.com/Article/2n65cxygcs_1.html3星
        [行業資訊]12N65場效應管參數,12N65參數規格書選型代換[ 2021-10-12 16:27 ]
        12N65場效應管參數,12N65參數規格書選型代換12N65系列場效應管TO-220封裝引腳圖:壹芯微供應12N65系列的場效應管型號如下(尾綴不同,參數一致,主要區分材質、封裝與包裝方式)12N65L-TA3-T 12N65G-TA3-T 封裝形式TO-22012N65L-TF1-T 12N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F112N65L-TF2-T 12N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F212N65L-TF3-T 12N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F12N65L-T2Q-T 12
        http://www.kannic.com/Article/12n65cxygc_1.html3星
        [行業資訊]12N65場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微[ 2021-08-31 16:13 ]
        12N65場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微20N65場效應管參數(電流(ID):20A,電壓(VDSS):650V),20N65(N溝道增強型場效應晶體管),20N65場效應管封裝形式為TO220,20N65場效應管封裝引腳規格書(PDF)Absolute maximum ratings絕對最大額定參數Symbol符號 | Parameter參數 | Value數值 | Unit單位VGS Gate-source voltage | 柵源電壓:±25 VID Drain
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        [行業資訊]FQP12N65選型替代,12N65場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微[ 2021-08-31 15:29 ]
        FQP12N65選型替代,12N65場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微12N65場效應管參數(電流(ID):12A,電壓(VDSS):650V),N溝道增強型場效應晶體管,10N65場效應管封裝形式為TO220,10N65場效應管封裝引腳規格書(PDF)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS絕對最大額定值(Ta=25℃)SYMBOL符號 | PARAMETER參數 | VALUE價值 | UNIT單元VDSS,Drain-Source Voltage漏源電壓: 650V VGS,G
        http://www.kannic.com/Article/12n65mos_1.html3星
        [常見問題解答]「12N65」關于分立器件場效應MOS管驅動電路解析 - 壹芯微[ 2021-08-03 16:59 ]
        「12N65」關于分立器件場效應MOS管驅動電路解析 - 壹芯微12N65 TO-220 (12A,650V)N溝道 直插 MOS場效應管12N65(數據手冊PDF):點擊下載自主品牌 廠家直銷 參數達標 性能穩定 完美替代 免費樣品 歡迎咨詢主要參數參數\型號12N65極性NID(A)12VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)0.85RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)7.8Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)
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        [行業資訊]「12N65」MOS場效應管導通條件和基本開關電路解析 - 壹芯微[ 2021-07-31 09:10 ]
        「12N65」MOS場效應管導通條件和基本開關電路解析型號:12N65(12A,650V)封裝:TO-220品牌:壹芯微|類型:場效應管MOSFET多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢導通條件NMOS管和PMOS管的導通條件不一樣。對于NMOS,當Vg-Vs>Vgs(th)時,MOS管導通,即G極和S極的差大于一定值,MOS管會導通,但是也不能大太多,Vgs(th)和其他參數需要看MOS管的SPEC。對于PMOS,和ZMOS管是相反的,當Vs-Vg>vsg(th)時,PMOS管導通,即S極和
        http://www.kannic.com/Article/12n65moscx_1.html3星
        [行業資訊]「12N65」場效應mos管三個引腳區分的方法 - 壹芯微[ 2021-07-28 09:10 ]
        「12N65」場效應mos管三個引腳區分的方法型號:12N65(12A,650V)封裝:TO-220/TO-220F/ITO-220/TO-262/TO-263/TO-3P/TO-3PN品牌:壹芯微|類型:場效應管MOSFET多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢mos管三個引腳區分:G極比較好認,為中間的一腳;S極,不論是p溝道還是N溝道,兩根線相交的就是;D極,不論是p溝道還是N溝道,是單獨引線的那邊。判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余
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        [行業資訊]「10N65,12N65」場效應MOS管的三個極解析-壹芯微[ 2021-07-27 09:20 ]
        「1N065,12N65」場效應MOS管的三個極解析-壹芯微型號:10N65(10A,650V) 12N65(12A,650V)品牌:壹芯微|類型:場效應管MOSFET|封裝:TO-220|多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢MOS管一般又叫場效應管,與二極管和三極管不同,二極管只能通過正向電流,反向截止,不能控制,三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流,MOS管是小電壓控制電流的。MOS管的輸入電阻極大,兆歐級的,容易驅動,但是價格比三極管要高,一般適用于需要小電壓控制大電流的情況,電磁爐里一般就是
        http://www.kannic.com/Article/10n65cxyg_1.html3星
        [行業資訊]「10N65,12N65,20N65」MOS場效應管的分類和作用-壹芯微[ 2021-07-27 09:00 ]
        「10N65,12N65,20N65」MOS場效應管的分類和作用-壹芯微型號:10N65(10A,650V) 12N65(12A,650V) 20N65(20A,650V)品牌:壹芯微|類型:場效應管MOSFET|封裝:TO-220/TO-3PN|多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管),屬于絕緣柵型
        http://www.kannic.com/Article/10n6512n65_1.html3星
        [行業資訊]12N65 TO-220參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-12 09:24 ]
        12N65 TO-220參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微12N65(12A,650V N溝道場效應功率管)品牌:壹芯微|類型:場效應管|封裝:TO-220|參數達標 質量穩定 免費樣品 歡迎咨詢12N65場效應管主要參數參數\型號12N65極性NID(A)12VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)0.85RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)7.8Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)6.0封裝TO-220概述:壹芯12N
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        [常見問題解答]〔壹芯〕生產12N65場效應管12A-650V,參數達標,質量穩定[ 2021-06-07 09:54 ]
        〔壹芯〕生產12N65場效應管7A-650V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號:12N65       極性:NIDA(A):12       VDSS(V):650RDS(on) MAX(Ω):0.85 VGS(V):10 VGS(th) (V):2~4Gfs(min) (S):7.8 Vgs(V):40 Io(A):6.0封裝:TO-220場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源獲取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,
        http://www.kannic.com/Article/yxsc12n65c_1.html3星

        地 址/Address

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        杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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