2N65場效應管參數資料大全,2N65代換選型手冊

2N65系列場效應管TO-252封裝引腳圖：

壹芯微供應2N65系列的場效應管型號如下（尾綴不同，參數一致，主要區分材質、封裝與包裝方式）

2N65L-TA3-T 2N65G-TA3-T 封裝形式TO-220

2N65L-TF1-T 2N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F1

2N65L-TF2-T 2N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F2

2N65L-TF3-T 2N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F

2N65L-TF3T-T 2N65G-TF3T-T 封裝形式TO-220F3

2N65L-TM3-T 2N65G-TM3-T 封裝形式TO-251

2N65L-TMA-T 2N65G-TMA-T 封裝形式TO-251L

2N65L-TMS-T 2N65G-TMS-T 封裝形式TO-251S

2N65L-TN3-R 2N65G-TN3-R 封裝形式TO-252

2N65L-TN3-T 2N65G-TN3-T 封裝形式TO-252

2N65L-T2Q-T 2N65G-T2Q-T 封裝形式TO-262

2N65L-T60-K 2N65G-T60-K 封裝形式TO-126

2N65L-T6C-K 2N65G-T6C-K 封裝形式TO-126C

2N65.pdf 規格書查看下載

2N65系列特性參數如下：

* RDS(ON)<5.0Ω @ VGS=10V

* UltraLowGateCharge（典型值45nC）

* 低反向傳輸電容（CRSS=典型9pF）

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進的dv/dt能力，高耐用性

2N65系列絕對最大額定參數如下：（TC=25°C，除非另有說明）

極性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流連續,I_D：2A

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262 ,P_D：40W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,P_D：21W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：23W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251L/TO-252/TO-251S,P_D：28W

PowerDissipation功耗,TO-126/TO-126C,P_D：12.5W

JunctionTemperature結溫,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和儲存溫度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微2N65規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

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