「10N65,12N65,20N65」MOS場效應(yīng)管的分類和作用-壹芯微

型號(hào)：10N65(10A,650V) 12N65(12A,650V) 20N65(20A,650V)

品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管MOSFET|封裝：TO-220/TO-3PN|多種封裝 尺寸不同 參數(shù)一致 免費(fèi)樣品 歡迎咨詢

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金屬氧化物合成半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管），屬于絕緣柵型。

一、什么是MOS場效應(yīng)管

場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(Junction Field Effect Transister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管IGFET之分。IGFET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。

MOS場效應(yīng)管有加強(qiáng)型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個(gè)電極：D(Drain) 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G(Gate) 稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；S(Source) 稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。

二、MOS場效應(yīng)管分類

根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)，管子是呈截止?fàn)顟B(tài)；加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。電位方向是從外向里，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。

MOS場效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此出廠時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時(shí)，全部引線也應(yīng)短接。在測(cè)量時(shí)應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。

三、MOS場效應(yīng)管作用

①效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。

②效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

③應(yīng)管可以用作可變電阻。

④效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

⑤效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

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