12N65場效應(yīng)管參數(shù),12N65參數(shù)規(guī)格書選型代換

12N65系列場效應(yīng)管TO-220封裝引腳圖：

壹芯微供應(yīng)12N65系列的場效應(yīng)管型號(hào)如下（尾綴不同，參數(shù)一致，主要區(qū)分材質(zhì)、封裝與包裝方式）

12N65L-TA3-T 12N65G-TA3-T 封裝形式TO-220

12N65L-TF1-T 12N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F1

12N65L-TF2-T 12N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F2

12N65L-TF3-T 12N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F

12N65L-T2Q-T 12N65G-T2Q-T 封裝形式TO-262

12N65L-TQ2-T 12N65G-TQ2-T 封裝形式TO-263

12N65L-TQ2-R 12N65G-TQ2-R 封裝形式TO-263

12N65L-T3P-T 12N65G-T3P-T 封裝形式TO-3P

12N65L-T3N-T 12N65G-T3N-T 封裝形式TO-3PN

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12N65系列特性參數(shù)如下：

* RDS(ON)<0.85Ω @ VGS=10V，ID=6.0A

* 超低柵極電荷（典型值 42 nC）

* 低反向傳輸電容（CRSS=典型值25pF）

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性

12N65系列絕對(duì)最大額定參數(shù)如下：（TC=25°C，除非另有說明）

極性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流連續(xù),I_D：12A

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262/TO-263,P_D：225W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,P_D：50W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1 ,P_D：51W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：54W

PowerDissipation功耗,TO-3P/TO-3PN,P_D：260W

Junction Temperature結(jié)溫,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和儲(chǔ)存溫度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微12N65規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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