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        12N65場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-08-31 瀏覽:-

        12N65場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微

        12N65場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微

        20N65場效應管參數(電流(ID):20A,電壓(VDSS):650V),20N65(N溝道增強型場效應晶體管),20N65場效應管封裝形式為TO220,20N65場效應管封裝引腳規格書(PDF)

        20N65主要參數

        20N65封裝引腳

        20N65封裝引腳

        20N65絕對最大額定參數

        Absolute maximum ratings絕對最大額定參數

        Symbol符號 | Parameter參數 | Value數值 | Unit單位

        VGS Gate-source voltage | 柵源電壓:±25 V

        ID Drain current (continuous) | ID TC=25 °C 時的漏極電流(連續):18A

        ID Drain current (continuous)  | ID TC=100 °C時的漏極電流(連續):11.3A

        IDM (1) Drain current (pulsed) | (1) 漏極電流(脈沖):72A

        PTOT Total dissipation PTOT | 總耗散在 TC = 25 °C:130W

        dv/dt (1)Peak diode recovery voltage slope | dv/dt (1)峰值二極管恢復電壓斜率 15V/ns

        Tstg(1) Storage temperature| 儲存溫度-55至150°C

        Tj Max. operating junction temperature°

        ISD≤18A, di/dt≤400 A/µs; VDS peak峰值<V(BR)DSS, VDD=400V

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