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[常見問題解答]如何在電路設(shè)計(jì)中有效保障IGBT的長期可靠運(yùn)行？[ 2025-04-12 11:13 ]

在現(xiàn)代功率電子電路設(shè)計(jì)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）因其出色的導(dǎo)通能力與開關(guān)特性，被廣泛應(yīng)用于變頻器、電源模塊、新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動及工業(yè)控制等場景。然而，很多設(shè)計(jì)工程師都會面臨一個(gè)關(guān)鍵問題：如何才能在復(fù)雜的工作環(huán)境和長期使用過程中，確保IGBT穩(wěn)定可靠運(yùn)行？一、優(yōu)化開關(guān)參數(shù)設(shè)計(jì)，減少過電壓與過電流IGBT最怕的不是工作，而是異常的電氣沖擊。特別是在高速開關(guān)過程中，過快的dv/dt或di/dt極易誘發(fā)尖峰電壓和過沖電流，不僅影響IGBT壽命，嚴(yán)重時(shí)還可能擊穿器件。實(shí)際設(shè)計(jì)中，常用的保護(hù)手段包括：- 合理配置柵極

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[常見問題解答]如何通過選型MOS管和IGBT優(yōu)化逆變器的EMC表現(xiàn)？[ 2024-10-24 15:30 ]

電磁兼容性（EMC）優(yōu)化在逆變器設(shè)計(jì)過程中非常重要。逆變器的主要開關(guān)元件MOS管（MOSFET）和IGBT的開關(guān)特性對運(yùn)行時(shí)的EMC影響很大。選擇正確的元件不僅可以提高設(shè)備的整體效率，還可以有效降低電磁干擾（EMI）和改善系統(tǒng)的電磁兼容性。本文對此進(jìn)行了詳細(xì)探討。一、開關(guān)速度與EMC之間的權(quán)衡MOS管和IGBT的開關(guān)速度是EMC性能的關(guān)鍵因素之一。這一特性有助于提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率，但較高的開關(guān)速度往往會導(dǎo)致較高的電壓變化率（dv/dt）和電流變化率（di/dt）。這些高變化率會導(dǎo)致更強(qiáng)的電磁輻射，從而影響正常運(yùn)行

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[常見問題解答]探索電磁干擾（EMI）的影響：電路設(shè)計(jì)中的防護(hù)技術(shù)與工具[ 2024-06-03 10:06 ]

一、轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)對抗電磁干擾（EMI）：在探討如何通過集成功率 MOSFET 和控制器的轉(zhuǎn)換器解決方案來抑制 EMI 時(shí)，我們注意到特定轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)可以有效超越傳導(dǎo) EMI 并為達(dá)到輻射限值預(yù)留充足空間。這些設(shè)計(jì)通常采取措施以增加抑制輻射和傳導(dǎo) EMI 的效率。二、電磁干擾（EMI）的挑戰(zhàn)及其管理策略：DC/DC 轉(zhuǎn)換器在操作中常因其快速開關(guān)的電壓和電流特性而引發(fā) EMI。盡管與轉(zhuǎn)換器的不連續(xù)輸入或輸出電流相關(guān)的 EMI 相對易于管理，開關(guān)電壓的 dv/dt 和電流的 di/dt 諧波成分及其相關(guān)的振鈴則構(gòu)成了更大的挑

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[常見問題解答]優(yōu)化策略：提升基于變壓器的 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動器效率[ 2024-05-24 10:15 ]

本文探討了一種用于 3.3kV SiC MOSFET 的新型隔離柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)，采用變壓器進(jìn)行高效驅(qū)動。其中，兩個(gè) VHF 調(diào)制諧振反激式轉(zhuǎn)換器工作在 20 MHz，用于生成 PWM 信號和提供柵極驅(qū)動電力。一、高壓絕緣特性通過一種設(shè)計(jì)優(yōu)化的 PCB 空心變壓器提供高達(dá) 15 kV RMS 的高壓絕緣特性。這種變壓器的低耦合電容（5pF）確保即使在 SiC MOSFET 高 dv/dt 的條件下也具有出色的抗噪聲性能。文中還將展示一系列關(guān)于 3.3kV SiC MOSFET 的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，以證明本設(shè)計(jì)方案的有效性。二

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[常見問題解答]傳導(dǎo)EMI的問題如何避免介紹[ 2023-05-30 12:02 ]

傳導(dǎo)EMI問題如何避免介紹大多數(shù)傳導(dǎo) EMI 問題是由共模噪聲引起的。此外，大多數(shù)共模噪聲問題是由電源中的寄生電容引起的。開關(guān)電源本質(zhì)上具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。將寄生電容與高 dV/dt 混合會產(chǎn)生 EMI 問題。當(dāng)寄生電容的另一端連接到電源的輸入端時(shí)，少量電流會直接泵入電源線。兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體的表面積成正比，與它們之間的距離成反比。查看電路中的每個(gè)節(jié)點(diǎn)，并密切注意具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。考慮一下布局中該節(jié)點(diǎn)上有多少表面積以及從輸入線到電路板的距離。開關(guān)MOSFET和緩沖電路的漏極是常見的罪犯。盡

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[常見問題解答]MOSFET的失效機(jī)理介紹[ 2023-05-06 17:11 ]

MOSFET的失效機(jī)理介紹MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效本文的關(guān)鍵要點(diǎn)當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會流過大電流，存在MOSFET失效的危險(xiǎn)。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。dV/dt是單位時(shí)間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度越陡，越容易發(fā)生MOSFET的dV/dt失效問題。一

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[常見問題解答]MOS管快速關(guān)斷的電路介紹[ 2023-04-08 17:14 ]

MOS管快速關(guān)斷的電路介紹一.前言當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí)，由于此時(shí)開關(guān)頻率比較高，此時(shí)就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管，從理論上說，MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵極驅(qū)動電路。當(dāng)然電流更高的關(guān)斷電路可以更快對輸入電容器放電，從而縮短開關(guān)時(shí)間，進(jìn)而降低開關(guān)損耗。如果使用普通的 N 溝道器件，通過更低輸出阻抗的 MOSFET 驅(qū)動器和/或負(fù)關(guān)斷電壓，可以增大放電電流。提高開關(guān)速度也能降低開關(guān)損耗，當(dāng)然由于 MOSFET 的快速關(guān)斷也會造成 di/dt 和 dv/dt 更高，因此關(guān)斷加速電路會在波形

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[常見問題解答]緩沖電路如何保護(hù)晶閘管介紹[ 2023-04-01 17:05 ]

緩沖電路如何保護(hù)晶閘管介紹緩沖電路是吸收能量搞得電路，用于舒緩因電路電感造成的電壓尖峰。有時(shí)候，因?yàn)檫^流，過壓以及過熱，元器件會出現(xiàn)損壞。而過流保護(hù)的電路我們有保險(xiǎn)絲，過熱有散熱器或風(fēng)扇。緩沖電路則用于限制電壓或電流的改變速率（di/dt 或 dv/dt）以及電路開關(guān)時(shí)的過壓。緩沖電路是電阻與電容的串聯(lián)，然后與晶體管或晶閘管這樣的開關(guān)相連，起到保護(hù)和提高性能的作用。開關(guān)和中繼間的緩沖電路也可以用來防止電弧產(chǎn)生。在該項(xiàng)目，我們將告訴你緩沖電路是如何保護(hù)晶閘管免受過壓或過流影響的，整個(gè)電路由緩沖電路和晶閘管以及 555

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[行業(yè)資訊]STD3NK50Z參數(shù),中文資料,規(guī)格書 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]

STD3NK50Z參數(shù),中文資料,規(guī)格書 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文參數(shù),STD3NK50Z封裝引腳圖,STD3NK50Z數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)STD3NK50Z場效應(yīng)管封裝TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 極高的dv/dt能力· ESD改進(jìn)能力）· 100%雪崩測試· 新的高壓基準(zhǔn)· 柵極電荷最小化絕對最大額定值（TC=25°C，除非

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[行業(yè)資訊]IRFR420A參數(shù),中文資料,規(guī)格書 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:34 ]

? 低柵極電荷Qg導(dǎo)致簡單驅(qū)動要求 ? 改進(jìn)的門限、雪崩和動態(tài)dV/dt堅(jiān)固性 ? 充分表征電容和雪崩電壓和電流 ? 指定有效成本 ? 材料分類：用于合規(guī)性定義應(yīng)用：開關(guān)電源(SMPS)，不間斷電源供應(yīng)，高速電源切換

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[行業(yè)資訊]JCS5N50RT場效應(yīng)管參數(shù) JCS5N50RT參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:38 ]

JCS5N50RT場效應(yīng)管參數(shù) JCS5N50RT參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕JCS5N50RT參數(shù)資料,選型替代,JCS5N50RT封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：5A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：5A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：3.16A漏極電流-脈沖(IDM)：20A單脈沖雪崩能量(EAS)：305mJ重復(fù)雪崩能量(EAR)：10.1mJ二極管恢復(fù)峰值(dv/dt)：4.

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[行業(yè)資訊]TK5P50D場效應(yīng)管參數(shù) TK5P50D參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:09 ]

TK5P50D場效應(yīng)管參數(shù) TK5P50D參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕TK5P50D參數(shù)資料,選型替代,TK5P50D封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：2A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：2.8A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：1.8A漏極電流-脈沖(IDM)：9A單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ重復(fù)雪崩能量(EAR)：60mJ二極管恢復(fù)峰值(dv/dt)：50V/ns功耗(TC=

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[行業(yè)資訊]AOD3N50場效應(yīng)管參數(shù) AOD3N50參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 18:06 ]

AOD3N50場效應(yīng)管參數(shù) AOD3N50參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕AOD3N50參數(shù)資料,選型替代,AOD3N50封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：2A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：2.8A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：1.8A漏極電流-脈沖(IDM)：9A單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ重復(fù)雪崩能量(EAR)：60mJ二極管恢復(fù)峰值(dv/dt)：50V/ns功耗(TC=

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[行業(yè)資訊]NDD05N50ZT4G場效應(yīng)管參數(shù) NDD05N50ZT4G參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-15 13:56 ]

NDD05N50ZT4G場效應(yīng)管參數(shù) NDD05N50ZT4G參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕NDD05N50ZT4G參數(shù)資料,選型替代,NDD05N50ZT4G封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家NDD05N50ZT4G主要參數(shù)：漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：4.7A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：3A漏極電流-脈沖(IDM)：19A單脈沖雪崩能量(EAS)：130mJ二極管恢復(fù)峰值(dv/dt)：4.5V

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[行業(yè)資訊]4N70場效應(yīng)管參數(shù)代換,4N70規(guī)格書下載,MOS管生產(chǎn)廠家[ 2021-11-10 12:10 ]

4N70場效應(yīng)管參數(shù)代換,4N70規(guī)格書下載,MOS管生產(chǎn)廠家4N70場效應(yīng)管參數(shù)及代換 (700V,4.4A) 4N70引腳圖 4N70中文資料規(guī)格書(PDF)4N70.pdf 規(guī)格書下載4N70詳細(xì)參數(shù)如下參數(shù)符號值單位漏極-源極電壓VDSS700V柵極-源極電壓VGSS±30V雪崩電流IAR4.4A柵極-源極電壓ID4.4A漏極電流-脈沖IDM17.6A單脈沖雪崩能量EAS260mJ重復(fù)雪崩能量EAR10.6mJ二極管恢復(fù)峰值 dv/dtdv/dt4.5V/ns功耗,TO-220/TO

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[行業(yè)資訊]2N60場效應(yīng)管參數(shù)代換,2N60中文資料規(guī)格書[ 2021-10-11 11:56 ]

2N60場效應(yīng)管參數(shù)代換,2N60中文資料規(guī)格書2N60系列場效應(yīng)管TO-252封裝引腳圖：2N60.pdf 規(guī)格書查看下載2N60場效應(yīng)管特性參數(shù)如下：* RDS(ON)<5Ω @ VGS=10V, ID=1A* 快速切換能力* 指定雪崩能量* 改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性2N60場效應(yīng)管絕對最大額定參數(shù)如下：（TC=25°C，除非另有說明）極性：NPNDrain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：600VGate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±

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[行業(yè)資訊]STD70N10F4 TO-252 MOS管100V,60A N溝道大電流[ 2021-09-10 12:12 ]

STD70N10F4 TO-252 MOS管100V,60A N溝道大電流STD70N10F4（N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管）；STD70N10F4場效應(yīng)管參數(shù)；STD70N10F4場效應(yīng)管封裝引腳圖；STD70N10F4場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF)；電流(ID)：60A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252產(chǎn)品概要STD70N10F4 100V<0.0195? 60AExceptional dv/dt capabilityExtremely low on-resistance RDS(on)1

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[行業(yè)資訊]IRFR7540場效應(yīng)管參數(shù)中文資料(PDF) 選型替換現(xiàn)貨廠商 - 壹芯微[ 2021-09-09 10:35 ]

IRFR7540場效應(yīng)管參數(shù)中文資料(PDF) 選型替換現(xiàn)貨廠商 - 壹芯微IRFR7540(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管)；IRFR7540場效應(yīng)管參數(shù)；IRFR7540場效應(yīng)管封裝引腳圖；IRFR7540場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF)；電流(ID)：110A，電壓(VDSS)：60V，封裝形式：TO252產(chǎn)品概要有刷電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用BLDC電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用電池供電電路半橋和全橋拓?fù)渫秸鲬?yīng)用諧振模式電源OR-ing和冗余電源開關(guān)DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器DC/AC逆變器好處改進(jìn)的門限、雪崩和動態(tài) dV/dt 堅(jiān)固性

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[常見問題解答]MOS管知識-MOS管電容特性分析[ 2020-11-11 15:21 ]

MOS管知識-MOS管電容特性分析MOS管電容特性-動態(tài)特性從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小由功率管的結(jié)構(gòu),材料和所加的電壓決定。這些電容和溫度無關(guān)，所以功率管的開關(guān)速度對溫度不敏感(除閾值電壓受溫度影響產(chǎn)生的次生效應(yīng)外)MOS管電容特性:由于器件里的耗盡層受到了機(jī)壓影響，電容Cgs和Cgd隨著所加電壓的變化而變化。然而相對于Cgd，Cgs受電壓的影響非常小，Cgd受電壓影響程度是Cgs的100倍以上。如圖10所示為一個(gè)從電路角度所看到的本征電容。受柵漏和柵源電容的影響，感應(yīng)到的dv/dt會導(dǎo)致功

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[常見問題解答]7n80場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書PDF 封裝詳情技術(shù)支持[ 2020-09-12 17:06 ]

7n80場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書PDF 封裝詳情技術(shù)支持7n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號概述7n80場效應(yīng)管參數(shù)型號概述，此功率MOSFET生產(chǎn)是使用SL先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)，這個(gè)先進(jìn)的技術(shù)是特別定制的，以減少通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，在雪崩和轉(zhuǎn)換方式下能承受高能脈沖器件，它非常適合高效率開關(guān)模式電源，有源功率因數(shù)校正基于半橋拓?fù)洹?n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號特性RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V低柵電荷(典型27nC)快速切換100%雪崩測試改進(jìn)的dv/dt的能力7n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號封裝圖7n80場效應(yīng)

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