來源：壹芯微 發布日期
2020-09-12 瀏覽：-7n80場效應管參數規格書PDF 封裝詳情 技術支持
7n80場效應管參數-型號概述
7n80場效應管參數型號概述，此功率MOSFET生產是使用SL先進的平面條紋DMOS技術，這個先進的技術是特別定制的，以減少通態電阻，提供優越的開關性能，在雪崩和轉換方式下能承受高能脈沖器件，它非常適合高效率開關模式電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲。
7n80場效應管參數-型號特性
RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V
低柵電荷(典型27nC)
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv/dt的能力
7n80場效應管參數-型號封裝圖
7n80場效應管參數詳情
7n80場效應管參數-規格書
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