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        IRFR7540場效應(yīng)管參數(shù)中文資料(PDF) 選型替換 現(xiàn)貨廠商 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-09 瀏覽:-

        IRFR7540場效應(yīng)管參數(shù)中文資料(PDF) 選型替換 現(xiàn)貨廠商 - 壹芯微

        IRFR7540場效應(yīng)管參數(shù)中文資料(PDF) 選型替換 現(xiàn)貨廠商 - 壹芯微

        IRFR7540(N溝道增強型場效應(yīng)晶體管);IRFR7540場效應(yīng)管參數(shù);IRFR7540場效應(yīng)管封裝引腳圖;IRFR7540場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF);

        電流(ID):110A,電壓(VDSS):60V,封裝形式:TO252

        IRFR7540

        產(chǎn)品概要

        有刷電機驅(qū)動應(yīng)用

        BLDC電機驅(qū)動應(yīng)用

        電池供電電路

        半橋和全橋拓?fù)?/p>

        同步整流應(yīng)用

        諧振模式電源

        OR-ing和冗余電源開關(guān)

        DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器

        DC/AC逆變器

        好處

        改進(jìn)的門限、雪崩和動態(tài) dV/dt 堅固性

        充分表征的電容和雪崩 SOA

        增強的體二極管 dV/dt 和 dI/dt 能力

        無鉛,符合RoHS

        絕對最大額定參數(shù)(TC=25C,除非另有說明)

        ID@TC=25°C持續(xù)漏極電流,VGS@10V(Silicon Limited):110①A

        ID@TC=100°C持續(xù)漏極電流,VGS@10V(Silicon Limited):78A

        ID@TC=25°C持續(xù)漏極電流,VGS@10V(Silicon Limited):90A

        脈沖漏極電流IDM:440* A

        最大功耗PD@TC=25°C:140W

        線性降額系數(shù):0.95W/°C

        柵源電壓VGS:±20V

        工作結(jié)點和存儲溫度范圍TJ:-55to+175 °C

        工作結(jié)點和存儲溫度范圍TSTG:-55to+175 °C

        焊接溫度,10秒(距外殼1.6毫米)300°C

        IRFR7540

        壹芯微科技(Yixin)國內(nèi)知名功率半導(dǎo)體制造商。主要生產(chǎn)各式貼片/直插,肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復(fù)、低壓降、場效應(yīng)管(MOSFET)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、IC集成電路、橋堆。引進(jìn)大量先進(jìn)的晶體管選型封裝測試全自動化設(shè)備、配備高標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試實驗室等,對每一批產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)控把關(guān);壹芯微首席工程師曾多年服務(wù)于臺灣強茂,有著豐富的研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗,為各行業(yè)應(yīng)用提供完美的解決方案與技術(shù)支持。如需報價或了解更多,歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服或聯(lián)系以下

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        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
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