一、轉(zhuǎn)換器設(shè)計對抗電磁干擾（EMI）：

在探討如何通過集成功率 MOSFET 和控制器的轉(zhuǎn)換器解決方案來抑制 EMI 時，我們注意到特定轉(zhuǎn)換器設(shè)計可以有效超越傳導(dǎo) EMI 并為達(dá)到輻射限值預(yù)留充足空間。這些設(shè)計通常采取措施以增加抑制輻射和傳導(dǎo) EMI 的效率。

二、電磁干擾（EMI）的挑戰(zhàn)及其管理策略：

DC/DC 轉(zhuǎn)換器在操作中常因其快速開關(guān)的電壓和電流特性而引發(fā) EMI。盡管與轉(zhuǎn)換器的不連續(xù)輸入或輸出電流相關(guān)的 EMI 相對易于管理，開關(guān)電壓的 dv/dt 和電流的 di/dt 諧波成分及其相關(guān)的振鈴則構(gòu)成了更大的挑戰(zhàn)。因此，針對這些問題，設(shè)計師需采用綜合措施以減輕其影響。

三、轉(zhuǎn)換器電路的實(shí)際應(yīng)用與EMI優(yōu)化：

具體來說，通過調(diào)整轉(zhuǎn)換器電路的關(guān)鍵回路和走線，最大限度地減小電源回路的面積，是減少寄生電感和相關(guān) H 場傳播的有效策略。例如，在自舉電容回路中，通過配置自舉電阻 RBOOT 控制高側(cè) MOSFET 的導(dǎo)通速度，可以降低 MOSFET 導(dǎo)通期間的開關(guān)電壓和電流轉(zhuǎn)換率，進(jìn)而抑制 EMI。

四、金屬外殼屏蔽的利用與優(yōu)勢：

在抑制高頻 EMI 方面，一個有效的技術(shù)是使用金屬外殼屏蔽層，以阻隔輻射電場。這種外殼通常采用鋁材制成，并可實(shí)現(xiàn)框架（開放式）或封閉式的設(shè)計方案，形成與 PCB 上的 GND 連接的法拉第籠，這不僅顯著減少了噪聲的輻射耦合，也在散熱管理和成本控制上提供了平衡。

五、采用先進(jìn)封裝技術(shù)增強(qiáng)EMI性能：

使用新型封裝技術(shù)，如 HotRod 封裝，可以顯著改善轉(zhuǎn)換器的 EMI 性能。該封裝采用倒裝芯片的方法，最小化了封裝引腳的寄生電感，這種技術(shù)在開關(guān)換向期間有效地減少了振鈴，同時降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗。