STD70N10F4 TO-252 MOS管100V,60A N溝道 大電流

STD70N10F4（N溝道增強型場效應晶體管）；STD70N10F4場效應管參數；STD70N10F4場效應管封裝引腳圖；STD70N10F4場效應管中文資料規格書(PDF)；

電流(ID)：60A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252

產品概要

STD70N10F4 100V<0.0195? 60A

Exceptional dv/dt capability

Extremely low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）

VDS Drain-source voltage漏源電壓(VGS=0)：100V

VGS Gate-source voltage柵源電壓： ±20V

ID Drain current (continuous)漏極電流（連續）at TC=25°C：65/60A

ID Drain current (continuous)漏極電流（連續）at TC=100°C：46/43A

DM (1) Drain current (pulsed)漏極電流（脈沖）：260/240A

PTOT Total dissipation總耗散 at TC=25°C：150/125W

Derating factor降額系數：1/0.83W/°C

EAS (2) Single pulse avalanche energy單脈沖雪崩能量120mJ

Tstg Storage temperature儲存溫度：-55 TO 175°C

Tj Max. operating junction temperature最大工作結溫：-55 TO 175°C

1. 脈沖寬度受安全操作區限制

2. 起始Tj=25°C，ID=32.5A，VDD=45V

壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下

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