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[技術文章]FDD86250 典型應用電路[ 2024-05-16 15:09 ]

FDD86250是一款功率場效應晶體管（MOSFET），常見于各種電力電子應用中。它的應用場景非常廣泛，包括但不限于電源管理、電機驅動、逆變器等領域。下面將詳細介紹FDD86250的參數特點以及應用場景。一、參數特點：- 低導通電阻： FDD86250具有低導通電阻特性，這意味著在導通狀態下，可以實現較低的電壓降，從而減少功耗和提高效率。- 高開關速度： FDD86250具有快速的開關速度，這使其在高頻應用中表現出色，能夠實現快速的開關操作，提高系統響應速度。- 低驅動電壓：由于FDD86250的低閾值電壓，它需

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[技術文章]IRF3205PBF 典型應用電路[ 2024-05-14 12:12 ]

IRF3205PBF是一款極為常見的功率場效應晶體管（MOSFET），其應用廣泛，參數特性出色，為各種電子系統提供了穩定可靠的性能支持。一、應用場景：1. 電源管理系統：IRF3205PBF適用于開關電源設計，包括電動工具、家用電器等領域。其低導通電阻和高開關速度可降低功耗，提高電源系統效率。2. 電機驅動：在電機控制和驅動方面，IRF3205PBF作為關鍵的開關元件，能夠提供高效的功率放大功能，確保電機系統穩定運行。3. 汽車電子系統：IRF3205PBF在汽車電子領域應用廣泛，包括發動機控制單元（ECU）、電池

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[技術文章]IRFB4227 典型應用電路[ 2024-05-09 16:16 ]

IRFB4227是一款常用的功率場效應晶體管（MOSFET），在許多電子設備和應用中廣泛應用。它的參數特點和應用場景如下：一、參數特點：- 低導通電阻： IRFB4227具有較低的導通電阻，這意味著它可以在較低的功率損耗下傳輸更大的電流。這對于需要高效能耗的應用非常重要。- 高開關速度：由于其設計采用了優化的結構和材料，IRFB4227具有快速的開關速度，可以實現快速的功率開關，適用于高頻應用。- 高耐壓能力： IRFB4227的設計使其具有較高的耐壓能力，可以承受較高的電壓，這使其在高電壓應用中表現出色。- 低

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[技術文章]IRFB4110 典型應用電路[ 2024-05-08 15:04 ]

IRFB4110是一款常用的功率場效應晶體管（MOSFET），具有廣泛的應用場景和特點。下面將詳細介紹它的應用場景和參數特點。一、應用場景：1.電源領域：IRFB4110常用于開關電源、逆變器和直流-直流轉換器等領域。其低導通電阻和高電流承受能力使其成為電源系統中的理想選擇，能夠有效地實現功率傳輸和能量轉換。2.驅動器：在電機驅動和電機控制系統中，IRFB4110可以作為電流控制器或電流開關，用于控制電機的啟停和運行，實現精確的速度和轉矩控制。3.電動車充電器：IRFB4110在電動車充電器中扮演著重要角色，能夠處

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[技術文章]NCE3080K 典型應用電路[ 2024-05-07 15:37 ]

NCE3080K是一款功率場效應晶體管（MOSFET），廣泛應用于各種電源管理和功率控制應用中。它具有一系列的參數特點和應用場景，使其成為電子工程師首選的器件之一。一、應用場景：1.電源開關：NCE3080K可用作電源開關，用于控制電路的通斷，實現電源的高效管理和節能。2.直流-直流轉換器：在直流-直流轉換器中，NCE3080K作為開關管，能夠有效地控制輸出電壓，實現電能的轉換和穩定輸出。3.電動車電池管理系統：在電動車電池管理系統中，NCE3080K可用于電池充放電控制，提高電池的使用效率和壽命。4.LED驅動器

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[技術文章]KBP310 典型應用電路[ 2024-04-29 11:29 ]

KBP310 是一種高性能的功率場效應晶體管（MOSFET），其廣泛的應用和卓越的電氣性能使其在電子電路設計中非常受歡迎。以下詳細介紹了 KBP310 的具體應用場景和顯著的參數特性：一、應用場景：- 開關電源：在開關電源設計中，KBP310 被用作關鍵的高頻開關組件。它的優異開關性能和高效率的功率轉換能力，可顯著提升供電系統的整體性能，同時縮小系統體積。- 逆變器應用：KBP310 在逆變器電路中扮演著核心角色，將直流電高效轉換為交流電，特別是在太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）系統中的應用尤為突出。- 電機控制

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[技術文章]AO3401 典型應用電路[ 2024-04-19 16:29 ]

AO3401 是一種N溝道增強模式功率場效應晶體管（MOSFET），廣泛用于各種電子設備中，以提供高效率的電源管理和開關功能。下面是關于 AO3401 的應用場景和參數特點的詳細描述：一、應用場景：- 移動設備：AO3401 由于其小尺寸和高效率，非常適合用于智能手機、平板電腦及其他便攜設備的電源管理系統。- 電腦設備：在筆記本電腦和臺式機的電源供應中，AO3401 能有效地控制電源的分配，確保設備穩定運行。- 充電器：用于各種電池充電器中，AO3401 能夠提供穩定的充電電流，增強充電效率和安全性。- LED照明

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[常見問題解答]LED驅動電路中場效應管IRF4905的作用介紹[ 2024-03-20 17:56 ]

LED驅動電路中場效應管IRF4905的作用介紹IRF4905是一種常見的功率場效應晶體管（MOSFET）器件，常用于LED驅動電路的Buck電路中。本文將詳細介紹IRF4905在LED驅動電路中的作用。Buck電路是一種降壓型DC-DC變換器，常用于將高電壓轉換為較低電壓的應用中。在LED驅動電路中，Buck電路通常被用來將直流電源電壓降低到LED的工作電壓范圍，以提供適當的電壓和電流來驅動LED。LED驅動電路的組成LED驅動電路通常由以下幾個主要部分組成：輸入電源、整流電路、濾波電路、功率因素校正電路、變壓器

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[行業資訊]2N65KL-TN3-R場效應管參數中文資料現貨替代廠家直營 - 壹芯微[ 2021-09-22 15:55 ]

2N65KL-TN3-R場效應管參數中文資料現貨替代廠家直營 - 壹芯微2N65KL-TN3-R場效應管（2A,650V N溝道功率場效應晶體管）封裝形式為：TO2522N65KL-TN3-R場效應管參數中文資料,2N65KL-TN3-R場效應管封裝引腳圖,2N65KL-TN3-R規格書2N65KL-TN3-R的概述：2N65K是一種高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。該功率MOSFET通常用于電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉換器和橋式電

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[行業資訊]4N65ZG-TN3-T場效應管,4N65ZG-TN3-T參數中文資料 - 壹芯微[ 2021-09-22 15:48 ]

4N65ZG-TN3-T場效應管,4N65ZG-TN3-T參數中文資料 - 壹芯微4N65ZG-TN3-T場效應管（4A,650V N溝道功率場效應晶體管）封裝形式為：TO2524N65ZG-TN3-T場效應管參數中文資料,4N65ZG-TN3-T場效應管封裝引腳圖,4N65ZG-TN3-T規格書4N65ZG-TN3-T的概述：4N65Z是一款高壓功率MOSFET，其設計具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。該功率MOSFET通常用于高速開關應用，包括電源、PWM電機控制、高

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[行業資訊]5N65G-TN3-R場效應管參數中文資料現貨替代廠家直營 - 壹芯微[ 2021-09-18 11:50 ]

5N65G-TN3-R場效應管參數中文資料現貨替代廠家直營 - 壹芯微5N65G-TN3-R場效應管（5A,650V N溝道功率場效應晶體管）封裝形式為：TO2525N65G-TN3-R場效應管參數中文資料,5N65G-TN3-R場效應管封裝引腳圖,5N65G-TN3-R規格書5N65G-TN3-R的概述：5N65是一種高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于電源的高速開關應用， PWM電機控制，高效直流到直流轉換器和橋接

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[行業資訊]6N65L-TN3-R場效應管,6N65L-TN3-R參數中文資料 - 壹芯微[ 2021-09-18 09:30 ]

6N65L-TN3-R場效應管,6N65L-TN3-R參數中文資料 - 壹芯微6N65L-TN3-R場效應管（6A,650V N溝道功率場效應晶體管）封裝形式為：TO2526N65L-TN3-R場效應管參數中文資料,6N65L-TN3-R場效應管封裝引腳圖,6N65L-TN3-R規格書6N65L-TN3-R的概述：6N65L-TN3-R 是一款高壓功率 MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。這種功率 MOSFET 通常用于開關電源和適配器的高速開關應用。Th

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[常見問題解答]SI2302功率場效應晶體管參數規格中文資料[ 2021-06-04 12:02 ]

SI2302功率場效應晶體管參數規格中文資料功率場效應晶體管，3A I(D)，20V，0.072ohm，1 元件，N 溝道，硅，金屬氧化物半導體 FET，無鉛，塑料封裝-3詳細參數參數名稱參數值是否Rohs認證符合生命周期Active針數3Reach Compliance CodecompliantECCN代碼EAR99風險等級5.32Samacsys DescriptionMOSFET 20V 3ASamacsys ManufacturerMicro Commercial Components (MCC)Mi

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[常見問題解答]SI2301功率場效應晶體管參數規格中文資料[ 2021-06-04 11:22 ]

SI2301功率場效應晶體管參數規格中文資料功率場效應晶體管, 2.8A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3詳細參數參數名稱參數值是否Rohs認證符合生命周期Active針數3Reach Compliance CodecompliantECCN代碼EAR99風險等級5.89Samacsys DescriptionMOSFET -20V -2

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[常見問題解答]直流變換交流電路圖解-場效應晶體管-逆變電源-MOS場效應管變換電路詳解[ 2021-04-17 09:55 ]

直流變換交流電路圖解-場效應晶體管-逆變電源-MOS場效應管變換電路詳解直流變交流簡易電路圖（一）該逆變器使用功率場效應晶體管作為逆變器裝置。用汽車電池供電。因此，在輸入電壓為12伏直流電。輸出電壓是100V的交流電。但是，輸入和輸出電壓不僅限于此。您可以使用任何電壓。他們依賴于變壓器使用。波形輸出為方波。根據經驗，這個電路約100W功率。電路必須按裝保險絲，因為過多的輸入電流流動時，振蕩器停止。直流變交流簡易電路圖（二）該電路實際上是一個數字式準正弦波DC／AC逆變器，具有以下特點：（1）采用脈寬調制式開關電源電

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[常見問題解答]MOSFET結構與工作原理詳解[ 2019-12-19 12:13 ]

MOSFET結構與工作原理詳解1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管

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[常見問題解答]功率場效應晶體管(MOSFET)原理知識[ 2019-10-26 11:59 ]

功率場效應晶體管(MOSFET)原理功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。一、電力場效應管的結構和工作原理電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道可分

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[常見問題解答]MOS場效晶體管-功率場效晶體管結構和工作原理[ 2019-09-16 12:02 ]

功率場效應晶體管（P-MOSFET）簡稱功率MOSFET，是使用大都載流子導電的半導體器材，且導通時只要一種極性的載流子參加導電，是單極型晶體管。與使用少數載流子導電的雙極型功率晶體管比較，功率 MOSFET 只靠單一載流子導電，不存在存儲效應，因而其關斷進程十分敏捷，其開關時間在 10 - 100ns 之間，作業頻率可達 100kHz以上，最高能夠到達500kHz。功卒MOSFET、開關速度快，作業頻率高，能夠使高頻率開關電源在設計時體積更小、質量更輕，習慣開關電源小型化、高效率化和高可靠性的開展請求。

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