4N65ZG-TN3-T場效應管,4N65ZG-TN3-T參數中文資料 - 壹芯微

4N65ZG-TN3-T場效應管（4A,650V N溝道功率場效應晶體管）封裝形式為：TO252

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4N65ZG-TN3-T的概述：

4N65Z是一款高壓功率MOSFET，其設計具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于高速開關應用，包括電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉換器和橋式電路。

The 4N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications including power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

4N65ZG-TN3-T的特性：

• RDS(ON)=2.5? @VGS=10V

• 超低柵極電荷(典型值為15nC) Ultra Low Gate Charge (typical 15 nC)

• 低反向傳輸電容(CRSS=典型值8.0pF) Low Reverse Transfer Capacitance (CRSS=Typical 8.0 pF)

• 快速切換能力 Fast Switching Capability

• 指定雪崩能量 Avalanche Energy Specified

• 改進的dv/dt能力，高耐用性 Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

4N65ZG-TN3-T的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

注意： 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. 重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制 2. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature

3. L=30mH，IAS=4A，VDD=50V，RG=25Ω，啟動TJ=25°C 3. L=30mH, IAS=4A, VDD=50V, RG=25?, Starting TJ=25°C

4. ISD≤4.4A，di/dt ≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C 4. ISD≤4.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25°C

4N65ZG-TN3-T的引腳說明：

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產與銷售，至今已有20年半導體行業研發、制造經驗。目前壹芯微產品已經在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網在線客服。