6N65L-TN3-R場(chǎng)效應(yīng)管,6N65L-TN3-R參數(shù)中文資料 - 壹芯微

6N65L-TN3-R場(chǎng)效應(yīng)管（6A,650V N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）封裝形式為：TO252

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6N65L-TN3-R的概述：

6N65L-TN3-R 是一款高壓功率 MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅(jiān)固性雪崩特性。 這種功率 MOSFET 通常用于開(kāi)關(guān)電源和適配器的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

The 6N65L-TN3-R is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge,low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switching power supplies and adaptors. 

6N65L-TN3-R的特性：

RDS(ON)<1.7Ω @VGS=10V

快速切換能力 Fast switching capability

雪崩能量測(cè)試 Avalanche energy tested

改進(jìn)的 dv/dt 能力，高耐用性 Improved dv/dt capability, high ruggedness 

6N65L-TN3-R的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說(shuō)明）：

注意： 1. 絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2. 重復(fù)評(píng)級(jí)：脈沖寬度受T_J限制

3. L=24mH，I_AS=6A，V_DD=90V，R_G=25 Ω，啟動(dòng)T_J=25°C

4. I_SD≤6.2A，di/dt≤200A/μs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25°C

6N65L-TN3-R的引腳說(shuō)明：

壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動(dòng)車(chē)、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，幫助合作伙伴解決符合國(guó)情、符合國(guó)際質(zhì)量的國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費(fèi)試樣熱線：13534146615(微信同號(hào)) QQ：2881579535 或請(qǐng)咨詢(xún)官網(wǎng)在線客服。