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        SI2302功率場效應晶體管 參數規格 中文資料

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-06-04 瀏覽:-

        SI2302功率場效應晶體管 參數規格 中文資料

        功率場效應晶體管,3A I(D),20V,0.072ohm,1 元件,N 溝道,硅,金屬氧化物半導體 FET,無鉛,塑料封裝-3


        詳細參數
        參數名稱參數值
        是否Rohs認證符合
        生命周期Active
        針數3
        Reach Compliance Codecompliant
        ECCN代碼EAR99
        風險等級5.32
        Samacsys DescriptionMOSFET 20V 3A
        Samacsys ManufacturerMicro Commercial Components (MCC)
        Micro Commercial Components (MCC)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
        最小漏源擊穿電壓20 V
        最大漏極電流 (ID)3 A
        最大漏源導通電阻0.072 Ω
        FET 技術METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
        JESD-30 代碼R-PDSO-G3
        JESD-609代碼e0
        元件數量1
        端子數量3
        工作模式ENHANCEMENT MODE
        封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
        封裝形狀RECTANGULAR
        封裝形式SMALL OUTLINE
        峰值回流溫度(攝氏度)240
        極性/信道類型N-CHANNEL
        最大脈沖漏極電流 (IDM)10 A
        認證狀態Not Qualified
        表面貼裝YES
        端子面層TIN LEAD
        端子形式GULL WING
        端子位置DUAL
        處于峰值回流溫度下的最長時間30
        晶體管應用SWITCHING
        晶體管元件材料SILICON


        SI2302功率場效應晶體管 參數規格 中文資料


        常用場效應管型號


        SI2302功率場效應晶體管 參數規格 中文資料

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