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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-06-04 瀏覽：-SI2301功率場效應(yīng)晶體管 參數(shù)規(guī)格 中文資料
功率場效應(yīng)晶體管, 2.8A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3
| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| 是否Rohs認證 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| 針數(shù) | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| 風險等級 | 5.89 |
| Samacsys Description | MOSFET -20V -2.8A |
| Samacsys Manufacturer | Micro Commercial Components (MCC) |
| 外殼連接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源擊穿電壓 | 20 V |
| 最大漏極電流 (ID) | 2.8 A |
| 最大漏源導通電阻 | 0.12 Ω |
| FET 技術(shù) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代碼 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代碼 | e0 |
| 元件數(shù)量 | 1 |
| 端子數(shù)量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作溫度 | 150 °C |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | SMALL OUTLINE |
| 極性/信道類型 | P-CHANNEL |
| 最大脈沖漏極電流 (IDM) | 10 A |
| 認證狀態(tài) | Not Qualified |
| 表面貼裝 | YES |
| 端子面層 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶體管應(yīng)用 | SWITCHING |
| 晶體管元件材料 | SILICON |
符號、占位面積、3D
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