2N65KL-TN3-R場效應管參數中文資料 現貨替代 廠家直營 - 壹芯微

2N65KL-TN3-R場效應管（2A,650V N溝道功率場效應晶體管）封裝形式為：TO252

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2N65KL-TN3-R的概述：

2N65K是一種高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉換器和橋式電路中的高速開關應用。

The 2N65K is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

2N65KL-TN3-R的特性：

RDS(ON)<6.0Ω @VGS=10V，ID=1A

快速切換能力 Fast switching capability

指定雪崩能量 Avalanche energy specified

改進的dv/dt能力，高耐用性 Improved dv/dt capability, high ruggedness

2N65KL-TN3-R的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

注意： 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. 重復評級：脈沖寬度受TJ限制。2. Repetitive Rating : Pulse width limited by TJ.

3. L=20mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始 TJ=25°C 3. L=20mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 ?, Starting TJ=25°C

4. ISD≤2.4A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C 4. ISD ≤ 2.4A, di/dt ≤ 200A/μs, VDD ≤ BVDSS, Starting TJ=25°C 

2N65KL-TN3-R的引腳說明：

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