來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-10-19 瀏覽：-壹芯微 MOS(場效應管) FDD8444_F085 N溝道 40V,50A 貼片TO-252多種封裝
HY1910D場效應管參數(shù)及代換,HY1910D封裝引腳圖,HY1910D中文資料規(guī)格書下載
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FDD8444_F085場效應管參數(shù)如下：
極性：NPN
Drain-Source Voltage漏源電壓 VDSS：40V
Gate Source Voltage柵源電壓 VGSS：±20V
Continuous Drain Current漏極電流連續(xù)(VGS+10V) ID：50A
Power Dissipation功耗 PD：153W
Operating and Storage Temperature 結溫與儲存溫度 TJ,TSTG：-55~175°C
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