來源：壹芯微 發布日期
2021-10-19 瀏覽：-壹芯微 MOS(場效應管) HY1910D N溝道 100V,67A 貼片TO-252多種封裝
HY1910D場效應管參數及代換,HY1910D封裝引腳圖,HY1910D中文資料規格書下載
HY1910D.pdf 規格書查看下載
HY1910D場效應管參數如下：
極性：NPN
Drain-Source Voltage漏源電壓 VDSS：100V
Gate Source Voltage柵源電壓 VGSS：±20V
Continuous Drain Current漏極電流連續(TC+25°C) ID：67A
Continuous Drain Current漏極電流連續(TC+100°C) ID：47A
Power Dissipation功耗(TC+25°C) PD：104W
Power Dissipation功耗(TC+100°C) PD：52W
Maximum Junction Temperature最高結溫 TJ：175°C
Storage Temperature Range儲存溫度 TSTG：-55~175°C
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