來源：壹芯微 發布日期
2021-10-20 瀏覽：-壹芯微 MOS(場效應管) STD80N10F7 N溝道 100V,80A 貼片TO-252多種封裝
STD80N10F7場效應管參數及代換,STD80N10F7封裝引腳圖,STD80N10F7中文資料規格書下載
STD80N10F7.pdf 規格書查看下載
STD80N10F7場效應管參數如下：
極性：NPN
Drain-Source Voltage漏源電壓 VDSS：100V
Gate Source Voltage柵源電壓 VGSS：±20V
Drain Current(Continuous)漏極電流連續(at TC+25°C) ID：70A/50A/40A
Drain Current(Continuous)漏極電流連續(at TC+100°C) ID：48A/54A/30A
Total Dissipation總功耗(at TC+25°C) PTOT：85W/110W/30W
Storage Temperature儲存溫度 TSTG：-55~175°C
Max.operating junction temperature最大工作結溫 TJ：-55~175°C
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