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        場效應(yīng)MOS管FQP2N60C參數(shù)

        PD最大耗散功率:55.5WID最大漏源電流:2V(BR)DSS漏源擊穿電壓:600VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:3.8ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:1AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          FQP2N60C是一種常用的N溝道MOSFET,其在各種電子設(shè)備和電路設(shè)計中有著廣泛的應(yīng)用。下面詳細介紹FQP2N60C的應(yīng)用場景和參數(shù)特點。

          一、應(yīng)用場景:

          1. 開關(guān)電源:FQP2N60C常用于開關(guān)電源中的高頻開關(guān)器件。它的高電壓和低導通電阻特性使其在開關(guān)過程中損耗較低,能夠提高電源的效率和可靠性。

          2. 電機驅(qū)動:在直流電機的控制和驅(qū)動電路中,FQP2N60C由于其高電流處理能力和快速開關(guān)速度,常被用作功率開關(guān)器件,能夠有效地控制電機的啟動和停止。

          3. 逆變器:在光伏逆變器和風能逆變器中,FQP2N60C作為逆變器的開關(guān)元件,可以有效地轉(zhuǎn)換直流電為交流電,支持高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。

          4. 照明設(shè)備:FQP2N60C在LED驅(qū)動電路和其他高效照明系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。其高效能和低損耗特性使得照明設(shè)備更加節(jié)能和耐用。

          5. 消費電子:在消費電子產(chǎn)品如電源適配器、充電器等設(shè)備中,FQP2N60C被廣泛使用,其高效率和可靠性為產(chǎn)品提供了良好的性能和較長的使用壽命。

          二、參數(shù)特點:

          1. 高耐壓:FQP2N60C具有600V的高耐壓特性,能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,適用于需要高電壓操作的應(yīng)用場景。

          2. 低導通電阻:FQP2N60C的導通電阻(RDS(on))低至1.9歐姆,這意味著在導通狀態(tài)下,其功率損耗較低,有助于提高整體電路的效率。

          3. 高脈沖電流能力:FQP2N60C可以處理高達16A的脈沖電流,使其在瞬時大電流情況下仍能穩(wěn)定運行,適用于電機驅(qū)動和大功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。

          4. 快速開關(guān)速度:FQP2N60C的開關(guān)速度非常快,這對于開關(guān)電源和高頻信號處理電路來說是一個重要的優(yōu)勢,能夠大幅度提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度和效率。

          5. 熱穩(wěn)定性:FQP2N60C具有良好的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,這對于需要在各種環(huán)境下長期運行的設(shè)備來說非常重要。

          綜上所述,FQP2N60C由于其高耐壓、低導通電阻、高脈沖電流能力、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性,在多個領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,是一種高效能、高可靠性的MOSFET器件。在選擇和應(yīng)用FQP2N60C時,需根據(jù)具體的電路需求和工作環(huán)境來合理設(shè)計,以充分發(fā)揮其優(yōu)越的性能和特點。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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