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        [行業資訊]20N65場效應管參數|20N65(TO220,TO-3PN)規格書資料|壹芯微[ 2022-02-25 14:30 ]
        20N65場效應管參數|20N65(TO220,TO-3PN)規格書資料|壹芯微 產品類型 場效應管 產品型號 20N65 極性 NPN 漏源電壓 650V 漏極電流 20A 封裝 TO-220,ITO-220,ITO-220L,TO-3P,TO-3PN
        http://www.kannic.com/Article/20n65cxygc_1.html3星
        [行業資訊]12N65場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微[ 2021-08-31 16:13 ]
        12N65場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微20N65場效應管參數(電流(ID):20A,電壓(VDSS):650V),20N65(N溝道增強型場效應晶體管),20N65場效應管封裝形式為TO220,20N65場效應管封裝引腳規格書(PDF)Absolute maximum ratings絕對最大額定參數Symbol符號 | Parameter參數 | Value數值 | Unit單位VGS Gate-source voltage | 柵源電壓:±25 VID Drain
        http://www.kannic.com/Article/12n65cmos_1.html3星
        [行業資訊]「10N65,12N65,20N65」MOS場效應管的分類和作用-壹芯微[ 2021-07-27 09:00 ]
        「10N65,12N65,20N65」MOS場效應管的分類和作用-壹芯微型號:10N65(10A,650V) 12N65(12A,650V) 20N65(20A,650V)品牌:壹芯微|類型:場效應管MOSFET|封裝:TO-220/TO-3PN|多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管),屬于絕緣柵型
        http://www.kannic.com/Article/10n6512n65_1.html3星
        [行業資訊]20N65 TO-220/TO-3PN參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-12 09:29 ]
        20N65 TO-220/TO-3PN參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微20N65(20A,650V N溝道場效應功率管)品牌:壹芯微|類型:場效應管|封裝:TO-220/TO-3PN|參數達標 質量穩定 免費樣品 歡迎咨詢20N65場效應管主要參數參數\型號20N65極性NID(A)20VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)0.38RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)18Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)10.0封裝
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        [常見問題解答]〔壹芯〕生產20N65場效應管20A-650V,參數達標,質量穩定[ 2021-06-07 10:27 ]
        〔壹芯〕生產20N65場效應管20A-650V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號:20N65       極性:NIDA(A):20       VDSS(V):650RDS(on) MAX(Ω):0.38 VGS(V):10 VGS(th) (V):2~4Gfs(min) (S):18 Vgs(V):40 Io(A):10.0封裝:TO-220 TO-3PN狹義的電子元器件在電子學中電子元器件的概念是以電原理來界定的,即能夠對電信號(電流或電壓)進行控制的基本單元。因此,只有電真空器件(
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