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可控硅又叫做晶閘管,是一種常用的半導體器件,是一種能像閘門一樣控制電流大小的半導體器件。因此,可控硅也具有開關控制、電壓調整和整流等功能。可控硅的種類較多,強電電路采用的可控硅主要有單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。常見的可控...
雙向可控硅觸發電路雙向可控硅是一種功率半導體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機控制系統中,可作為功率驅動器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,控制電路簡單,因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較...
雙向可控硅原理“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎上發展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅,而且僅需一個觸發電路,是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。先看...
mos 管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS 管的 source 和 drain 是可以對...
1、三個極怎么判定G 極(gate)—柵極,不用說比較好認S 極(source)—源極,不論是 P 溝道還是 N 溝道,兩根線相交的就是D 極(drain)—漏極,不論是 P 溝道還是...
所有 MOS 管集成電路(包括 P 溝道 MOS,N 溝道 MOS,互補 MOS 管 -CMOS 集成電路)都有一層絕緣柵,以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是 25nm50nm80nm 三種。在集成電路高...
看輸入波形,MOS 開關波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS 管的 GS 波形,我們拿開關 GS 波形為例來聊一下 GS 的波形。我們測死 MOS 管 GS 波形時,有時會看到下圖中的這種波形,在芯片輸出端是...
電平轉換在電路設計中非常常見,因為做電路設計很多時候就像在搭積木,這個電路模塊,加上那個電路模塊,拼拼湊湊連起來就是一個電子產品了。而各電路模塊間經常會出現電壓域不一致的情況,所以模塊間的通訊就要使用電平轉換電路了。上圖...
一般情況下普遍用于高端驅動的 MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅動的 MOS 管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比 VCC 大 4V 或 10V。如果在同一個系統里,要得到比 V...
開關電流技術是一種模擬取樣信號處理新技術,主要應用于開關電流濾波器和模數轉換器設計。由于開關電流電路無需使用雙層多晶硅電容,因此電路可以采用標準的 CMOS 數字工藝實現,從而降低了制造成本;采用開關電流技術可以縮小芯片...
開關電源的基本原理就是利用現代化電子技術,控制開關管開通和關斷的比率和維持輸出電源穩定的一種產品。隨著科技的進步,我們逐漸的將電源的模式由元器件組成線路轉化為集成線路,現在我們看到最多的開關電源一般是由脈沖寬度調制 PW...
工作原理:1、有 BAT1 3.8V,沒有 VIN_5V 時:電壓從 U1 的 D 極經過 MOS 管的體二極管到達 S 極,S≈3.6V(假設體二極管壓降為 0.2V),因為 VIN_5V 沒有,所以 G=...
DC-DC BUCK 芯片的外圍電路設計中,我們一般會在 BOOT 和 SW 管腳之間加電容或者電容+電阻組合,這一塊的電路叫自舉電路,自舉電路中的電容、電阻就被稱為自舉電容、自舉電阻。什么是自舉電容?DCDC BUCK...
兩個單片機由于電平不同,串口通信可能會失敗,這時候需要通過電平轉換電路來解決,本文給出了兩種方法,一種是通過三極管搭建,另一種是 MOS 管搭建。3.3V 單片機和 5V 單片機通信的思路MOS 管轉換電路工作原理:1、...
如圖提問:1. VDD_SN 的電壓,這個電壓肯定是要小于右邊的 3.3V 的,因為什么呢?VDD_SN 高于 3.3V,NMOS Q13 和 Q14 在關閉狀態時,左邊高于 3.3V 的電壓就會通過 Q13 和 Q14...
CCM 又稱為連續導通模式,顧名思義就在在一個開關周期內,電感的電流是連續的,電流不會歸 0,如果按照專業的將就是電感從不 “復位”。DCM 被稱為非連續導通模式,就是在開關周期內,電感電流總會回...
MOS 管英文全稱為 Metal Oxide Semiconductor 即金屬氧化物半導體,即在集成電路中絕緣性場效應管。確切的說,這個名字描述了集成電路中 MOS 管的結構,即:在一定結構的半導體器件上,加上二氧化硅...
在電子電路設計當中,很多情況下都要考慮 EMC 的問題。在設計中使用 MOS 管時,在添加散熱片時可能會出現一種比較糾結的情況。當 MOS 管的 EMC 通過時,散熱片需要接地,而在散熱片不接地的情況下,EMC 是無法通...
下圖為一款簡單的電源線路圖:電源輸入端采用的單級 EMI 抗干擾電路由 C1 和 L1 組成,主要目的就是為了減小電源內的高頻信號對電網的輻射干擾。市電經過整流橋 BD1 和 C2 濾波后得到一個大約 300V 的直流電...
今天以一顆 DC/DC 降壓電源芯片 LM2675 為例,盡量詳細講解下一顆芯片的內部設計原理和結構。LM2675-5.0 的典型應用電路打開 LM2675 的 DataSheet,首先看看框圖這個圖包含了電源芯片的內部...
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