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二極管的特性及損耗介紹二極管特性及損耗分析。1、二極管特性1.1正向?qū)ㄌ匦远O管的伏安特性曲線(xiàn)與溫度關(guān)系較大.根據(jù)不同廠(chǎng)家的二極管制造工藝不同,二極管存在一個(gè)臨界電流Ic。當(dāng)正向電流If大于臨界電流Ic時(shí),正向電壓Vf...
MOSFET的EOSS參數(shù)解析Mosfet的寄生參數(shù),其中Eoss是一個(gè)非常重要的參數(shù)。1、Eoss參數(shù)的重要性對(duì)于硬開(kāi)關(guān)變換電路來(lái)說(shuō),MOSFET開(kāi)通之前,Coss需要釋放能量,這部分能量就構(gòu)成一部分導(dǎo)通損耗。對(duì)于軟開(kāi)...
線(xiàn)性穩(wěn)壓器如何進(jìn)行效率計(jì)算線(xiàn)性穩(wěn)壓器的經(jīng)典模式是基于普通PNP型晶體管的基本結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的。該經(jīng)典模式也稱(chēng)為基本電壓穩(wěn)壓器(Basic Voltage Regulator)或三端穩(wěn)壓器(Three-Terminal Regu...
穩(wěn)壓二極管怎么測(cè)量穩(wěn)壓二極管的特性穩(wěn)壓二極管反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí),反向電阻很大,反向漏電流極小。但是,當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時(shí),反向電流驟然增大,稱(chēng)為擊穿,在這一臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻驟然降至很...
晶體管怎么實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的方法介紹首先晶體管分為npn管和PNp管。無(wú)論是N管還是P管,他們都是通過(guò)對(duì)積極的高低電平的注入,來(lái)使得集電極和射極的通斷從而實(shí)現(xiàn)晶體管的開(kāi)關(guān)功能的。一般來(lái)說(shuō)。如果是N管,只需要通過(guò)積極的高電平注入即...
時(shí)間可調(diào)的給定積分器電路如何設(shè)計(jì)如何設(shè)計(jì)時(shí)間可調(diào)的給定積分器電路?這樣處理積分電路更靈活。給定積分器的作用:把用戶(hù)的給定階躍信號(hào)轉(zhuǎn)換為斜坡給定信號(hào),減少給定突變引起的瞬間沖擊。1 電路圖原理分析:輸入信號(hào)為用戶(hù)可調(diào)電阻分...
Gate-Source間電壓的動(dòng)作介紹低邊開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),首先ID會(huì)變化(下述波形示意圖T1)。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng),受下述...
柵極–源極間電壓的動(dòng)作介紹低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極–源極間電壓的動(dòng)作下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣,為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)...
無(wú)源器件中的電容器詳解晶體管和集成電路等有源元件利用來(lái)自電源的能量改變信號(hào)。相反,電阻器、電容器、電感器和連接器等無(wú)源元件不消耗功率——或者這樣假設(shè)。然而,無(wú)源元件實(shí)際上可以而且確實(shí)以意想不到的方...
負(fù)電壓浪涌的方法介紹負(fù)電壓浪涌對(duì)策下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極-源極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件(IV),即HS(非開(kāi)關(guān)側(cè))的VGS的負(fù)浪涌,采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q...
SiC功率元器件中產(chǎn)生的浪涌怎么應(yīng)對(duì)介紹浪涌抑制電路SiC功率元器件中柵極-源極電壓(VGS)的正浪涌在開(kāi)關(guān)側(cè)和非開(kāi)關(guān)側(cè)均有發(fā)生,但是尤其會(huì)造成問(wèn)題的是在LS(低邊)導(dǎo)通時(shí)的非開(kāi)關(guān)側(cè)(HS:高邊)的事件(II)。右側(cè)的波...
柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌介紹MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線(xiàn)路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度非常快,以至于開(kāi)關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已...
單管放大電路的工作原理介紹電子學(xué)中放大的目的是將微弱的變化信號(hào)放大成較大的信號(hào)。這里所講的主要是電壓放大電路。電壓放大電路可以用有輸入口和輸出口的四端網(wǎng)絡(luò)表示,如圖。單管放大器是一種簡(jiǎn)單的電子電路,它使用一個(gè)單獨(dú)的放大管...
怎么處理柵極誤導(dǎo)通的方法介紹柵極誤導(dǎo)通”的抑制方法柵極誤導(dǎo)通的對(duì)策方法有三種。①是通過(guò)將Vgs降至負(fù)電壓(而非0V),使Vgs即使上升也不會(huì)達(dá)到閾值的增加余量方法。這種方法需要負(fù)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,所以柵極驅(qū)動(dòng)器...
MOS管的開(kāi)關(guān)作用介紹一、開(kāi)關(guān)作用1、如下圖所示:當(dāng)PQ27控制腳G為低電平時(shí),PQ27截止,此時(shí)PQ26的控制腳G為高電平,PQ26導(dǎo)通。當(dāng)PQ27控制腳G為高電平時(shí),PQ27導(dǎo)通,此時(shí)PQ26的控制腳G為低電平,PQ...
怎么提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的方法提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的方法可以通過(guò)減少晶體管的輸入電容來(lái)提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度,這可以通過(guò)減少晶體管的輸入電容的大小來(lái)實(shí)現(xiàn),從而減少晶體管的輸入電容對(duì)輸入信號(hào)的衰減,從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。另外...
可控硅怎么控制直流介紹可控硅可以控制直流嗎可控硅可以通過(guò)改變其內(nèi)部電路的電阻值來(lái)控制直流電流的大小,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)直流電流的控制。可控硅在直流上使用的話(huà),只能當(dāng)做電子開(kāi)關(guān),只有接通或閉合狀態(tài)。只有接通或閉合狀態(tài),無(wú)法控制電壓...
靜電感應(yīng)晶體管原理介紹靜電感應(yīng)晶體管(SIT)是什么它是一種多子導(dǎo)電的單極型器件,通過(guò)檢測(cè)外部靜電場(chǎng)的變化來(lái)控制電路的開(kāi)關(guān)。當(dāng)外部靜電場(chǎng)發(fā)生變化時(shí),晶體管內(nèi)部的電子流會(huì)發(fā)生變化,從而改變晶體管的電阻值,從而控制電路的開(kāi)關(guān)...
穩(wěn)壓管組成是利用什么特性介紹穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管,它是利用PN結(jié)的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來(lái)工作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設(shè)備和一些電子電路中獲得廣泛的應(yīng)用。把這種類(lèi)型的二極管稱(chēng)為穩(wěn)壓管,以區(qū)別用在整流、檢波和其他單向?qū)щ妶?chǎng)合...
怎么觸發(fā)導(dǎo)通可控硅介紹可控硅可以通過(guò)控制電壓或電流來(lái)觸發(fā)導(dǎo)通。當(dāng)電壓或電流達(dá)到一定的閾值時(shí),可控硅就會(huì)導(dǎo)通,從而控制電流的方向和大小。可控硅還可以用來(lái)控制電路的功率,從而控制電路的輸出功率。此外,可控硅還可以用來(lái)控制電路...
壹芯微首頁(yè) 場(chǎng)效應(yīng)管 貼片二極管 榮譽(yù)認(rèn)證 直插二極管 網(wǎng)站地圖 三極管 聯(lián)系壹芯微
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