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[常見問題解答]高效能與低功耗：AO8822 MOS管特點與應用解析[ 2024-12-26 11:41 ]: AO8822是一款廣泛應用于低功耗設計領域的雙NMOS晶體管。其優(yōu)異的性能和多樣化的應用場景使其成為眾多電子工程師首選的分立器件之一。我們從實際應用的角度來分析如何在各種情況下同時實現(xiàn)高性能和低功耗。一、AO8822的主要特點1. 電阻僅為0.018歐姆該功能大大降低了器件開啟時的功耗，非常適合需要頻繁開關(guān)的電路。這在高負載下連續(xù)運行時尤其重要。2. 高電流容量AO8822支持高達7A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為20V。這種能力使其能夠處理高功率或高峰值電流的情況，表現(xiàn)出很強的適應性。3. 快速開關(guān)速度該器件具有; http://www.kannic.com/Article/gxnydghao8_1.html

[常見問題解答]什么是MOS管的連續(xù)漏極電流？從基礎到實際應用的全面剖析[ 2024-10-23 15:50 ]: MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是非常常見的器件。它在放大電路的各種電流管理和漏電流中起著重要作用，直接影響MOS管的工作效率和穩(wěn)定性。本文將從基本概念出發(fā)，詳細分析MOS管的連續(xù)漏極電流，并討論其實際應用。一、什么是連續(xù)電流連續(xù)漏極電流是指MOS管長時間穩(wěn)定工作時從漏極流向源極的電流。它是MOS管的主要性能指標之一，直接反映MOS管在特定電壓和溫度條件下的性能。當MOS管處于導通狀態(tài)時，這個電流的大小決定了電路中MOS管的輸出特性、制造工藝、使用環(huán)境等。在器件數(shù)據(jù)手冊中，該參數(shù)通常為ID（漏極電流），以幫; http://www.kannic.com/Article/smsmosgdlx_1.html

[技術(shù)文章]IRFZ44N 典型應用電路[ 2024-04-23 17:35 ]: IRFZ44N是一種常用的功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管），廣泛應用于電源管理、開關(guān)電源、電機驅(qū)動和其他高電流、高速開關(guān)應用。它的主要特點包括高電流承載能力、低柵極電荷和優(yōu)異的熱性能，適合于需要高效率和可靠性的電子設備。一、主要參數(shù)：- 最大耗散功率： 94 W- 最大連續(xù)漏極電流： 49 A- 最大柵極-源極電壓： ±20 V- 閾值電壓（Vgs(th)）： 2.0 - 4.0 V- 靜態(tài)漏極-源極電阻（Rds(on)）： 17.5 mΩ二、應用場景：1. 開關(guān)電源：在開關(guān)電源中; http://www.kannic.com/Article/irfz44ndxy_1.html

[技術(shù)文章]STM32F407VGT6 典型應用電路[ 2024-04-23 17:35 ]: IRFZ44N是一種常用的功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管），廣泛應用于電源管理、開關(guān)電源、電機驅(qū)動和其他高電流、高速開關(guān)應用。它的主要特點包括高電流承載能力、低柵極電荷和優(yōu)異的熱性能，適合于需要高效率和可靠性的電子設備。一、主要參數(shù)：- 最大耗散功率： 94 W- 最大連續(xù)漏極電流： 49 A- 最大柵極-源極電壓： ±20 V- 閾值電壓（Vgs(th)）： 2.0 - 4.0 V- 靜態(tài)漏極-源極電阻（Rds(on)）： 17.5 mΩ二、應用場景：1. 開關(guān)電源：在開關(guān)電源中; http://www.kannic.com/Article/STM32F407VGT6dxy_1_1.html

[行業(yè)資訊]BSS84場效應管參數(shù),BSS84參數(shù)中文資料,BSS84替代[ 2022-05-17 10:56 ]: BSS84場效應管參數(shù),BSS84參數(shù)中文資料,BSS84替代場效應管BSS84參數(shù),絲印PD,BSS84封裝引腳圖,BSS84中文資料PDF,MOS管廠家產(chǎn)品名稱：場效應MOS管產(chǎn)品型號：BSS84 極性：P溝道漏源電壓：-50V 連續(xù)漏極電流：-130mA 封裝：SOT-23等...; http://www.kannic.com/Article/bss84cxygc_1.html

[行業(yè)資訊]AO3415場效應管參數(shù),AO3415參數(shù)中文資料,AO3415替代[ 2022-05-17 10:25 ]: AO3415場效應管參數(shù),AO3415參數(shù)中文資料,AO3415替代場效應管AO3415參數(shù),絲印AFCP,AO3415封裝引腳圖,AO3415中文資料PDF,MOS管廠家產(chǎn)品名稱：場效應MOS管產(chǎn)品型號：AO3415 極性：P溝道漏源電壓：-20V 連續(xù)漏極電流：-5A 封裝：SOT-23等...; http://www.kannic.com/Article/ao3415cxygcs_1.html

[行業(yè)資訊]AO3414場效應管參數(shù),AO3414中文資料規(guī)格書,AO3414替代[ 2022-05-11 17:44 ]: AO3414場效應管參數(shù),AO3414中文資料規(guī)格書,AO3414替代場效應管AO3414參數(shù),絲印AE9T,AO3414封裝引腳圖,AO3414中文資料PDF,MOS管廠家產(chǎn)品名稱：場效應MOS管產(chǎn)品型號：AO3414 極性：N溝道漏源電壓：20V 連續(xù)漏極電流：4.2A 封裝：SOT-23等...; http://www.kannic.com/Article/ao3414cxyg_1.html

[行業(yè)資訊]AO3413場效應管參數(shù),AO3413中文資料規(guī)格書,AO3413替代[ 2022-05-11 17:02 ]: AO3413場效應管參數(shù),AO3413中文資料規(guī)格書,AO3413替代場效應管AO3413參數(shù),絲印ADEA,AO3413封裝引腳圖,AO3413中文資料PDF,MOS管廠家產(chǎn)品名稱：場效應MOS管產(chǎn)品型號：AO3413 極性：P溝道漏源電壓：-20V 連續(xù)漏極電流：-3A 封裝：SOT-23等...; http://www.kannic.com/Article/ao3413cxyg_1.html

[行業(yè)資訊]AO3410場效應管參數(shù),AO3410中文資料規(guī)格書,AO3410替代[ 2022-05-05 18:17 ]: AO3410場效應管參數(shù),AO3410中文資料規(guī)格書,AO3410替代場效應管AO3410參數(shù),絲印A01TT,AO3410封裝引腳圖,AO3410中文資料PDF,MOS管廠家產(chǎn)品名稱：場效應MOS管產(chǎn)品型號：AO3410 極性：N溝道漏源電壓：30V 連續(xù)漏極電流：5.8A 封裝：SOT-23等...; http://www.kannic.com/Article/ao3410cxyg_1.html

[行業(yè)資訊]AO3409場效應管參數(shù) AO3409中文資料規(guī)格書 AO3409替代[ 2022-05-05 16:03 ]: AO3409場效應管參數(shù),AO3409中文資料規(guī)格書,AO3409替代場效應管AO3409參數(shù),絲印A99T,AO3409封裝引腳圖,AO3409中文資料PDF,MOS管廠家產(chǎn)品名稱：場效應MOS管產(chǎn)品型號：AO3409 極性：P溝道漏源電壓：-30V 連續(xù)漏極電流：-2.6A 封裝：SOT-23等...; http://www.kannic.com/Article/ao3409cxyg_1.html

[行業(yè)資訊]A79T/AO3407場效應管參數(shù) AO3407絲印替代 AO3407中文資料PDF[ 2022-04-20 16:38 ]: A79T/AO3407場效應管參數(shù) AO3407中文資料PDF 引腳圖絲印 AO3407替代 AO3407場效應管參數(shù),AO3407引腳圖封裝,AO3407絲印,AO3404中文資料PDF,規(guī)格書,AO3404替代；產(chǎn)品名稱：AO3407,-30V,P溝道場效應管產(chǎn)品類型：場效應管/MOS管/MOSFET；產(chǎn)品型號：AO3407 極性：P溝道漏源電壓：-30V 連續(xù)漏極電流：-4.1A 封裝：SOT-23等; http://www.kannic.com/Article/a79tao3407_1.html

[行業(yè)資訊]A49T/AO3404參數(shù),AO3400場效應管參數(shù)中文資料,AO3404絲印,MOS管[ 2022-04-15 14:34 ]: A49T/AO3404參數(shù),AO3400場效應管參數(shù)中文資料,AO3404絲印,MOS管； AO3404場效應管參數(shù)資料,AO3404中文資料PDF,AO3404規(guī)格書,AO3404替代,AO3404A封裝；產(chǎn)品名稱：AO3404,30V,N溝道場效應管產(chǎn)品類型：場效應管/MOS管/MOSFET 產(chǎn)品型號：AO3404 極性：N溝道漏源電壓：30V 連續(xù)漏極電流：5A 封裝：SOT-23等; http://www.kannic.com/Article/ao3404csao_1.html

[行業(yè)資訊]2N60,2N60場效應管參數(shù),引腳圖,2N60規(guī)格書中文資料 - 壹芯微[ 2022-02-14 12:13 ]: 2N60,2N60場效應管參數(shù),引腳圖,2N60規(guī)格書中文資料 - 壹芯微產(chǎn)品型號：2N60描述：MOSFET,N-CH,600V,1.6A,TO220F詳細描述：通孔,N通道,600V,1.6A（Tc）,28W（Tc）,TO-220F-3制造商：Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供應商：深圳市壹芯微科技有限公司規(guī)格書：2N60規(guī)格書2N60引腳圖2N60電路符號2N60產(chǎn)品屬性通道類型N最大連續(xù)漏極電流2 A最大漏源電壓600 V封裝類型TO-220F安裝類型通孔引腳數(shù)目3最; http://www.kannic.com/Article/2n602n60cx_1.html

[行業(yè)資訊]IRFR7540場效應管參數(shù)-PDF規(guī)格書下載[ 2021-10-18 17:37 ]: IRFR7540場效應管參數(shù)-PDF規(guī)格書下載IRFR7540場效應管參數(shù)及代換,IRFR7540封裝引腳圖,IRFR7540中文資料規(guī)格書PDFIRFR7540.pdf 規(guī)格書查看下載IRF7540場效應管參數(shù)如下：極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:110 ARds On-漏源導通電阻:4.8 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3.7 VQg-柵極電荷:86 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd; http://www.kannic.com/Article/irfr7540cxy_1.html

[行業(yè)資訊]5N60L-TN3-R場效應管參數(shù)規(guī)格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微[ 2021-09-16 11:14 ]: 5N60L-TN3-R場效應管參數(shù)規(guī)格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微5N60L-TN3-R場效應管主要參數(shù) 極性：N溝道；電壓(VDSS)：600V；電流(ID)：5A；封裝(Pageke)：TO-252；大芯片，高品質(zhì)，原廠批量直銷，提供技術(shù)支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號漏源電壓 VDSS 600柵源電壓 VGSS ±30雪崩電流(注 2) IAR 5連續(xù)漏極電流 ID 5脈沖漏極電流(注 2)IDM 20雪崩能源單脈沖(注 3)EAS 210重復(注 2) EAR 10峰值二極管恢復; http://www.kannic.com/Article/5n60ltn3rc_1.html

[行業(yè)資訊]1N60L-TN3-R場效應管,1N60L-TN3-R參數(shù)中文資料 - 壹芯微[ 2021-09-16 10:16 ]: 1N60L-TN3-R場效應管,1N60L-TN3-R參數(shù)中文資料 - 壹芯微1N60L-TN3-R場效應管主要參數(shù) 極性：N溝道；電壓(VDSS)：600V；電流(ID)：1.2A；封裝(Pageke)：TO-252；大芯片，高品質(zhì)，原廠批量直銷，提供技術(shù)支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號漏源電壓 VDSS 600 V柵源電壓 VGSS ±30 V雪崩電流(注 2) IAR 1.2 A連續(xù)漏極電流 ID 1.2 A脈沖漏極電流(注 2) IDM 4.8 A雪崩能量單脈沖(注 3) EAS 50; http://www.kannic.com/Article/1n60ltn3rc_1.html

[行業(yè)資訊]30N06參數(shù),30N06 MOS管報價免費送樣 - 壹芯微[ 2021-09-15 14:45 ]: 30N06參數(shù),30N06 MOS管報價免費送樣 - 壹芯微30N06場效應管主要參數(shù) 極性：N溝道；電壓(VDSS)：60V；電流(ID)：30A；封裝(Pageke)：TO-252；大芯片，高品質(zhì)，原廠批量直銷，提供技術(shù)支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號絕對最大額定參數(shù)漏源電壓 VDSS：60 V柵源電壓 VGSS：±20 V連續(xù)漏極電流 TC=25°C ID：30 A連續(xù)漏極電流 TC=100°C ID：21.3 A脈沖漏極電流(注 2) IDM：120 A雪崩能量單脈沖(; http://www.kannic.com/Article/30n06cs30n_1.html

[行業(yè)資訊]IRLR3114Z場效應管參數(shù)中文資料選型替代 MOS管生產(chǎn)廠家 - 壹芯微[ 2021-09-14 10:18 ]: IRLR3114Z場效應管參數(shù)中文資料選型替代 MOS管生產(chǎn)廠家 - 壹芯微IRLR3114Z場效應管主要參數(shù) 極性：N溝道；電壓(VDSS)：40V；電流(ID)：130A；封裝(Pageke)：TO-252；大芯片，高品質(zhì)，原廠批量直銷，提供技術(shù)支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號ID@TC=25°C連續(xù)漏極電流，VGS@10V（Silicon Limited）130AID@TC=100°C連續(xù)漏極電流，VGS@10V（Silicon Limited）89AID@TC=25°C連續(xù); http://www.kannic.com/Article/irlr3114zc_1.html

[行業(yè)資訊]IRFR4510場效應管參數(shù)中文資料 MOS管選型替代生產(chǎn)廠家 - 壹芯微[ 2021-09-14 09:40 ]: IRFR4510場效應管參數(shù)中文資料 MOS管選型替代生產(chǎn)廠家 - 壹芯微IRFR4510場效應管主要參數(shù) 極性：N溝道；電壓(VDSS)：100V；電流(ID)：63A；封裝(Pageke)：TO-252；大芯片，高品質(zhì)，原廠批量直銷，提供技術(shù)支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號ID@TC=25°C 連續(xù)漏極電流，VGS@10V（Silicon Limited）63AD@TC=100°C 連續(xù)漏極電流，VGS@10V（Silicon Limited）45AID@TC=25°C 連續(xù)漏; http://www.kannic.com/Article/irfr4510cx_1.html

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